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中興大學應用科技大樓的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦龔怡文,劉季宇,簡文郁,鍾立來,葉錦勳,張宜君,陳慈忻,陳淑惠,陳亮全,周偉賢,曾裕淇,林冠慧,林宗弘,林沛暘,邱聰智,李俊穎,寫的 巨震創生：九二一震災的風險分析與制度韌性 和陳之貴的 污水與廢水工程：理論與設計實務(3版)都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自國立臺灣大學出版中心 和五南所出版 。
國立彰化師範大學 電子工程學系 林得裕所指導 林煜軒的 CuI薄膜及其異質結構成長與光電特性研究 （2021），提出中興大學應用科技大樓關鍵因素是什麼，來自於碘化亞銅、碘退火、光電特性、熱電特性、p-n異質結構、LED鍍膜。
而第二篇論文國立彰化師範大學 電子工程學系 林得裕所指導 胡翰笙的 硒化亞錫和硒化錫晶體成長及其特性研究 （2021），提出因為有 硒化亞錫、硒化錫、化學氣相傳輸法、XRD、吸收光譜、持續性光電導量測、光響應度量測、席貝克係數的重點而找出了 中興大學應用科技大樓的解答。
最後網站公告系統則補充：地點：國立中興大學應用科技大樓B1國際會議廳(台中市南區興大路145號)。報名方式：本活動為免費參加，即日起至109年11月27日(星期五)下午17時00分止，採線上報名，意者 ...
巨震創生：九二一震災的風險分析與制度韌性
為了解決中興大學應用科技大樓 的問題，作者龔怡文,劉季宇,簡文郁,鍾立來,葉錦勳,張宜君,陳慈忻,陳淑惠,陳亮全,周偉賢,曾裕淇,林冠慧,林宗弘,林沛暘,邱聰智,李俊穎, 這樣論述：
九二一震災是臺灣災害科學發展與政策改革的里程碑，為什麼有些地方的災損較嚴重？為什麼有些受災社區能夠成功復興？本書為國家地震工程研究中心、中央研究院、國立臺灣大學與師範大學等學者合作的成果，回顧臺灣地震科學，特別是九二一地震之後的研究發展。 全書分為四個部分：第一部分為震災風險研究導論，介紹資料來源與研究方法；第二部分解構震前風險，介紹危害度、暴露度與脆弱度等概念與其對九二一震災的分析結果，提出「樞紐城鎮」（nexus township）的概念，認為介於都會區與麓山帶之間的中小型交通樞紐城鎮，是社會脆弱之所在。第三部分介紹韌性的概念、探討九二一震災後的房屋重建、社區
重建、校園重建以及心理重建；第四部分「面對下一場巨震」探討臺灣防救災制度變遷，並提供未來改革建議。巨災不僅留下傷痛，也帶來公民參與改革的機會之窗，這是臺灣民主對抗災害風險的「制度韌性」優勢。
CuI薄膜及其異質結構成長與光電特性研究
為了解決中興大學應用科技大樓 的問題，作者林煜軒 這樣論述：
本研究先從電鍍與熱蒸鍍的比較中選出成長較優質的Cu薄膜的方法，再從氣態、液態及固態三種碘化方法中選出成長較優質的CuI薄膜的方式，並以此成長之後實驗所需的CuI薄膜，並對這項材料進行一系列分析與研究。使用光學顯微鏡、掃瞄式電子顯微鏡及原子力顯微鏡觀察結構；以能量散射X射線譜分析元素組成；以X光繞射分析樣品的晶格結構；利用拉曼光譜量測研究晶體的振動模式；利用二次離子質譜量測分析樣品厚度。從霍爾實驗得出其具有大約7.3 cm2/V*s的遷移率，而它的載子濃度則有接近7x1016 cm-2，而從穿透及光電導實驗中判斷能隙位置大約在2.94 eV左右。從PL實驗中判斷能隙位置大約在3.01 eV，有
一個銅缺陷在40meV的位置，另外有一個碘缺陷在1.75 eV的位置。從這些研究中了解這種材料的各種特性並對其未來的應用方向做一個初步的探索。
污水與廢水工程：理論與設計實務(3版)
為了解決中興大學應用科技大樓 的問題，作者陳之貴 這樣論述：
1.濃縮了污水工程中不易熟記且高普考又常考的理論與設計用公式。 2.以實際興建完成的廢水廠來說明各種廢水的處理流程，各水池大小及各種機電設備。 3.附上近年來環工技師高考污水與給水的考題及分析出詳細的解答。
硒化亞錫和硒化錫晶體成長及其特性研究
為了解決中興大學應用科技大樓 的問題，作者胡翰笙 這樣論述：
本論文主要探討硒化亞錫和（SnSe）和硒化錫（SnSe2）之材料與光電特性及熱電特性分析。利用化學氣相傳導法（chemical vapor transport, CVT）成長SnSe和SnSe2材料。我們利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察SnSe和SnSe2 材料的表面形貌；並透過拉曼散射光譜分別顯示了SnSe和SnSe2兩種材料的兩個主要峰值，A1g與Eg；並透過X-ray繞射發現SnSe和SnSe2種材料（001）、（002）、（003）、（004）和（005）之c軸長度；進一步透過穿透式電子顯微鏡觀察到SnSe和SnSe2兩種材料的晶體結構與原子排列以及a軸。接下來將以光感測器為目的，
對SnSe和SnSe2兩種材料進行光學和電學特性研究。首先，在製備樣品方面，我們使用銅線以及銀膠製作成金屬電極，製備成簡單的蕭特基金屬-半導體-金屬（Schottky Metal-Semiconductor-Metal）樣品。以光特性的量測，對SnSe和SnSe2兩種材料進行變溫吸收光譜的量測，經由變溫吸收光譜可以得到溫度對SnSe和SnSe2兩種材料的間接能隙位置；再來以電特性的量測，透過電流電壓量測，量測出適當的工作電壓；接下來將SnSe和SnSe2種材料進行光電導量測、自動變頻光導、持續性光導和光響應等實驗量測。以熱電轉換為目的，對SnSe和SnSe2兩種材料進行熱電特性量測。首先以本實
驗室自行架設之席貝克係數量測系統，量測出SnSe席貝克係數為286.35μV/K；而SnSe2為 -367μV/K。最後以p-n junction為目的，量測出SnSe/SnSe2接面之熱電轉換。