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這兩本書分別來自化學工業出版社 和科學出版社所出版 。

國立中山大學 光電工程學系研究所 邱逸仁所指導 翁枕榆的 利用斜面反射鏡垂直整合高功率之超發光二極體與絕緣層覆矽晶圓 (2021),提出斜 向 蒸 鍍關鍵因素是什麼,來自於矽光子、異質整合、晶圓貼合技術、超發光二極體、極化消光比。

而第二篇論文國立臺灣大學 材料科學與工程學研究所 陳俊維所指導 陳緯在的 利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬 (2021),提出因為有 過渡金屬二硫屬化合物、二硫化鉬、化學氣相沉積法、自我封蓋固液氣成 長機制的重點而找出了 斜 向 蒸 鍍的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了斜 向 蒸 鍍,大家也想知道這些:

釩氧化物的制備及其應用

為了解決斜 向 蒸 鍍的問題,作者齊濟 這樣論述:

本書以釩氧化物為核心,對不同價態釩氧化物的物理化學性質進行了介紹;在理論研究的基礎上,詳述了釩氧化物製備過程的熱力學計算方法;在實驗優化的基礎上,對低價釩氧化物的粉體的製備工藝與產物表徵結果進行了闡述;在實驗探索的基礎上,介紹了釩氧化物在玻璃體中和玻璃表面上的應用性質。另外,還對釩氧化物的已有應用及潛在應用領域進行了概述。 本書可供材料科學領域的科研、生產、設計和應用的科技人員使用,也可供高等學校材料科學與工程、無機非金屬材料以及化學工程等專業師生參考。

利用斜面反射鏡垂直整合高功率之超發光二極體與絕緣層覆矽晶圓

為了解決斜 向 蒸 鍍的問題,作者翁枕榆 這樣論述:

超發光二極體(Superluminescent diode,SLD)是一種半導體發光元件,具有高輸出功率、寬頻譜、低同調性等特性,使其應用非常廣泛。在光積體化的快速發展下,將主動元件整合於其他平台為目前的趨勢。 矽光子(Silicon photonics)技術是近年來非常有潛力的平台,因為其可與已發展成熟的CMOS製程技術相容,將光子元件集成於微小晶片中,實現體積小、可大量製作、低製造成本的光子集成電路。而由於矽本身並非直接能隙,對於製作主動光源方面目前尚未成熟,因此主動光源的引入對矽光子來說是不可或缺的技術研發。 三五族材料為直接能隙,且具有p-i-n異質結構,可實現不同波長之

光波導,可做為雷射、超發光二極體等主動元件。本文提出一新穎的波導整合方式。在三五族元件的波導一端蝕刻出斜面反射鏡,並與下方之矽光柵耦合器(Silicon grating coupler)整合,以實現三五族與矽波導之垂直整合。 本研究透過增加多重量子井的應力(strain)來提高極化(TE/TM)消光比,藉此提高輸出功率,並利用設計之三五族晶片製作超發光二極體(SLD),作為整合元件的光源,並在波導端面製作斜面反射鏡作為垂直整合的媒介,再利用晶圓貼合技術整合SLD與SOI被動元件。主動波導與矽波導間的光模轉換,則利用垂直式的光柵耦合器來實現。三五族波導端面的斜面反射鏡,可將光源反射至下方的

光柵耦合器,並耦合至矽波導。整合後之元件,其光源輸出功率可達2mW,證實此結構之可行性。極化消光比大於20dB,證實量子井中增加應力的效果。發光頻譜之頻寬達20nm,可應用於光纖陀螺儀等感測組件。

薄膜光學(第4版)

為了解決斜 向 蒸 鍍的問題,作者(美)H.ANGUS MACLEOD 這樣論述:

本書是薄膜光學方面的一本經典著作,《薄膜光學(第4版)》共17章,系統地介紹了薄膜光學的基本理論、各種薄膜光學器件的設計和應用以及薄膜光學器件的技術基礎,具體內容包括:薄膜光學的基本理論和設計方法、減反射膜、中性反射鏡和分光鏡、多層高反射膜、截止濾光片、帶通濾光片、傾斜入射薄膜、薄膜材料、鍍膜技術、影響薄膜性能的因素、膜厚均勻性與厚度監控、濾光片規格與環境影響、濾光片和薄膜的應用。   《薄膜光學(第4版)》內容翔實,概念清楚,層次分明,實用性強,而且緊密結合了薄膜光學領域的新問題和新成果。 序 譯者序 中譯本序 第四版前言 符號和縮寫 第1章引言1 1.1早期的歷史1

1.2光學薄膜4 參考文獻7 第2章基本理論9 2.1麥克斯韋方程和平面電磁波9 2.1.1坡印亭向量13 2.2簡單邊界14 2.2.1垂直人射15 2.2.2傾斜人射17 2.2.3傾斜人射的光學導納20 2.2.4吸收介質中的垂直人射 22 2.2.5吸收介質中的傾斜人射 26 2.3單層薄膜的反射率28 2.4多層膜系的反射率30 2.5反射率、透射率和吸收率32 2.6單位35 2.7重要結果總結35 2.8可能透射率38 2.9膜系透射率定理40 2.10相干性41 2.11兩個或多個表面的非相干反射45 參考文獻48 第3章光學薄膜計算與設計的一些方法49 3.1A/4和A/

2光學厚度49 3.2導納軌跡50 3.3導納圖中的電場和損耗54 3.4向量法59 3.5赫平折射率61 3.6膜系計算的反覆運算方法61 3.7多層膜設計的史密斯方法63 3.8史密斯圓圖65 3.9反射率圓圖67 參考文獻71 第4章減反射膜72 4.1高折射率基底上的減反射膜72 4.1.1單層減反射膜73 4.1.2雙層減反射膜77 4.1.3多層膜84 4.2低折射率基底上的減反射膜91 4.2.1單層減反射膜91 4.2.2雙層減反射膜91 4.2.3多層減反射膜99 4.3等效膜層112 4.4具有兩個零點的減反射膜121 4.5可見光及紅外區的減反射膜124 4.6非均勻層

129 4.7更多資訊132 參考文獻132 第5章中性反射鏡和分光鏡134 5.1高反射薄膜134 5.1.1金屬膜反射鏡134 5.1.2金屬膜的保護 135 5.1.3總系統性能與增加金屬膜反射率139 5.1.4紫外反射膜142 5.2中性分光鏡143 5.2.1金屬膜分光鏡 144 5.2.2介質膜分光鏡146 5.3中性濾光片149 參考文獻150 第6章多層高反射膜152 6.1法布裡-珀羅干涉儀152 6.2多層介質膜157 6.2.1寬高反射區的多層全介質膜 163 6.2.2薄膜均勻性的要求168 6.3損耗170 參考文獻174 第7章截止濾光片176 7.1薄膜型

吸收濾光片176 7.2干涉截止濾光片177 7.2.1又/4多層膜 177 7.2.2對稱多層膜和赫平折射率178 7.2.3性能計算187 參考文獻217 第8章帶通濾光片219 8.1寬頻濾光片219 8.2窄帶濾光片221 8.2.1金屬—介質單腔濾光片 221 8.2.2全介質單腔濾光片227 8.2.3固體標準具濾光片239 8.2.4人射角變化的影響242 8.2.5邊帶阻隔251 8.3多腔濾光片251 8.3.1Thelen 分析法 256 8.4多腔濾光片更高的性能261 8.4.1傾斜的影響267 8.4.2多腔濾光片的損耗270 8.4.3補充材料271 8.5相位色

散濾光片272 8.6多腔金屬-介質濾光片277 8.6.1誘導透射濾光片279 8.6.2濾光片設計實例283 8.7濾光片的實測性能291 參考文獻293 第9章傾斜入射薄膜296 9.1修正導納和傾斜導納圖296 9.2導納圖的應用301 9.3偏振器312 9.3.1布儒斯特角偏振分束器312 9.3.2偏振片31 9.3.3偏振分光棱鏡 31 9.4無偏振薄膜316 9.4.1中等人射角的截止濾光片316 9.4.2大人射角時的反射膜320 9.4.3大人射角時的截止濾光片323 9.5減反射膜324 9.5.1僅p偏振的情形325 9.5.2僅s偏振的情形325 9.5.3S偏振

和p偏振同時存在的情形326 9.6相位延遲器328 9.6.1橢圓偏光參數和相對相位延遲328 9.6.2多個表面鍍膜的橢圓偏光參數和相對相位延遲329 9.6.3相位延遲器329 9.6.4簡單的相位延遲器330 9.6.5單波長多層膜相位延遲器334 9.6.6多波長多層膜相位延遲器337 9.7光學隧穿濾光片341 參考文獻342 第10章光學薄膜色度學345 10.1顏色的定義345 10.21964補充標準色度觀察者350 10.3同色異譜351 10.4其他顏色空間351 10.5色調和色度352 10.6亮度和最佳刺激353 10.7彩色條紋355 參考文獻356 第11章

鍍膜工藝及薄膜材料357 11.1薄膜的鍍制357 11.1.1熱蒸發358 11.1.2高能沉積過程364 11.1.3其他沉積過程370 11.1.4烘烤373 11.2光學性質的測量375 11.3機械特性的測量389 11.4毒性395 11.5常見材料的特性396 參考文獻403 第12章影響薄膜性能的因素410 12.1微觀結構和薄膜的性能410 12.2對污染物的敏感度419 參考文獻425 第13章膜厚均勻性與厚度監控428 13.1均勻性428 13.1.1平面夾具429 13.1.2球面夾具430 13.1.3旋轉基底430 13.1.4掩膜的用途433 13.2基底準

備434 13.3膜層厚度監控和控制435 13.3.1光學監控技術436 13.3.2石英晶體監控443 13.3.3通過沉積時間監控445 13. 4厚度容差445 參考文獻456 第14章濾光片規格與環境影響459 14.1光學特性459 14.1.1性能指標 459 14.1.2製作指標461 14.3測試指標461 14.2物理性質463 14.2.1耐磨性464 14.2.2黏附性466 14.2.3耐環境性466 參考文獻467 第15章系統考慮:濾光片和薄膜的應用468 15.1干涉濾光片的能量獲取470 15.2天文學中的窄帶濾光片474 15.3大氣溫度檢測479 15

.4光柵光譜儀中的級次選擇濾光片485 15.5眩光抑制濾光片和鍍膜492 15.6包含金屬層的薄膜496 15.6.1用於肖特基勢全光電二極體的電極薄膜496 15.6.2用於太陽能光熱轉換的光譜選擇薄膜498 15.6.3熱反射金屬-介質膜501 參考文獻503 第16章其他主題505 16.1皺褶濾光片505 16.2超快薄膜513 16.3自動設計方法522 16.4光學薄膜中的增益529 16.4.1傾斜人射532 16.5光子晶體535 16.5.1什麼是光子晶體535 16.5.2二維光子晶體536 16.5.3一維光子晶體536 參考文獻540 第17章介質薄膜材料的特性5

42 參考文獻546 參考書目550 中英文對照表552

利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬

為了解決斜 向 蒸 鍍的問題,作者陳緯在 這樣論述:

擁有些許能帶差的半導體二維材料過渡金屬二硫屬化合物系列 (transition metaldichalcogenides,TMD) 為近年來相當熱門的研究主題,其中具有1.8eV直接 能帶的單層二硫化鉬具有許多特別的物理、化學性質,為一相當知名且相當具有發 展性的二維奈米材料。在二硫化鉬的製作中,化學氣相沈積法能在合理的成本下產 出高品質、大面積且層數均勻的二維二硫化鉬,是近年來最被普遍使用的一種生長 方式。在一般使用粉末作為前驅物的固氣氣成長機制 (Vapor-Solid-Solid,VSS) 中, 通常會選擇降低粉末的使用量來降低成長時的核點密度並成長出較大晶粒的二硫 化鉬,與此同時,二

硫化鉬的覆蓋率也會大幅下降,而降低其實用性。我們選擇用 相當新穎的自我封蓋固液氣成長機制 (Self-Capping Vapor-Liquid-Solid, SCVLS) , 透過共晶反應提供均勻的液態前驅物並擁有快速的成長速率,其能成長出比固氣 氣成長機制更大晶粒、更大覆蓋範圍、且層數均勻度、結晶、電子性質都更好的二 硫化鉬奈米片或薄膜。在本篇論文中,我們能透過 SCVLS 成長機製能成長出晶粒 約為 200μm 的單層二硫化鉬奈米片或是 1×1 cm2 覆蓋的單層二硫化鉬薄膜。