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濺鍍 流程的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦菊地正典寫的 看圖讀懂半導體製造裝置 和楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓的 半導體製程設備技術(2版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站濺鍍製程也說明：真空系統名稱1 進料/出料區2 低真空腔3 高真空腔4 。 真空溅镀技術簡介 真空概論 薄膜製程技術 製造流程ParagonTechnologiesCo.,LTD.真空概論 所謂的真空，美國真空 ...
這兩本書分別來自世茂 和五南所出版 。
華梵大學 電子工程學系碩士班 陳淮義所指導 呂峻宏的 適用於染料敏化太陽能電池之氧化鋅摻雜碳化鈦工作電極與二硫化鉭摻雜石墨烯對電極之特性研究 （2021），提出濺鍍 流程關鍵因素是什麼，來自於染料敏化太陽能電池、二氧化鈦、氧化鋅、碳化鈦、工作電極、二硫化鉭、石墨稀、對電極。
而第二篇論文南臺科技大學 光電工程系 許進明所指導 劉彥齊的 多層預裂型ITO薄膜彎曲裂化對水氣穿透率影響之研究 （2021），提出因為有 氧化銦錫、彎曲機械強度、水氧穿透率的重點而找出了 濺鍍 流程的解答。
最後網站濺鍍製程 - 應用物理學系- 高雄大學則補充：1.放置樣品. Setp1：將不銹鋼隔板取下並放置欲濺鍍的sample至基座上並對準sputter gun濺鍍區域 · 2.進行真空腔抽氣(參看熱蒸鍍實驗程序) · 3.進行濺鍍 · 4. 濺鍍結束程序 · 5.
看圖讀懂半導體製造裝置
為了解決濺鍍 流程 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂 得半導體得天下？ 要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體
所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
適用於染料敏化太陽能電池之氧化鋅摻雜碳化鈦工作電極與二硫化鉭摻雜石墨烯對電極之特性研究
為了解決濺鍍 流程 的問題，作者呂峻宏 這樣論述：
在工業科技發展的同時，自然環境中的天然資源也不斷地被消耗，這使得再生能源中的太陽能源，在未來的需求上，變得愈加重要，也因此染料敏化太陽能電池(dye sensitized solar cells, DSSC)的進展日益受到重視。是以，本研究進行染料敏化太陽能電池的相關議題研究。本研究主要分為兩個部分：一、將不同重量百分比之TiC摻雜於ZnO而成的TiC/ZnO複合物作為DSSC的工作電極，並研究不同TiC摻雜比例對於ZnO基底之DSSC (ZnO-based DSSC)的光電特性影響，結果發現當TiC/ZnO複合物內TiC的摻雜為3 wt %時，其最佳光電轉換效率為1.54%。二、將不同重量
百分比之石墨烯(graphene, GP)摻雜於TaS2而成的GP/TaS2複合物作為DSSC的對電極，並研究不同石墨烯摻雜比例之GP/TaS2 對電極對於TiO2基底之DSSC (TiO2-based DSSC)的特性影響，且與傳統使用白金(Pt)當對電極之DSSC作比較，結果發現當GP/TaS2複合物中石墨烯摻雜量為1 wt %時，其最佳光電轉換效率為4.83%。
半導體製程設備技術(2版)
為了解決濺鍍 流程 的問題，作者楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓 這樣論述：
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silic
on Wafer)基底材料(Substrate) 。 在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
多層預裂型ITO薄膜彎曲裂化對水氣穿透率影響之研究
為了解決濺鍍 流程 的問題，作者劉彥齊 這樣論述：
軟性有機發光二極體(OLED) 具有輕、薄、可彎曲、不易脆裂等等符合人性化的優勢，能融入如軟性太陽能電池(Solar Cells)、汽機車車燈、穿戴裝置、區域照明等應用，ITO透明導電膜被廣泛使用的，但是在過度彎曲時會因為應力與應變產生龜裂，造成其電性劣化且不穩定，而裂紋也會對阻氣產生影響，因此開發具優良彎曲機強度且具有一定阻氣能力的透明導電膜是必要的。 本研究欲藉由使用預裂型ITO薄膜分析薄膜彎曲裂化與水氣穿透情形之關係。研究方法是製作5層的預裂/堆疊ITO薄膜，總厚度為200nm，在鍍膜過程中使用彎曲鍍膜，並對每一鍍層進行預裂，彎曲鍍膜半徑設計為6~12mm，而預裂半徑也設定為6
~12mm，完成後之5層預裂型ITO薄膜進行150 oC 1hr的熱退火，量測動態彎曲測試ITO膜的阻抗，使用光學鈣測試法觀察薄膜劣化之水氣穿透情形，並由隨時間變化之光穿透率計算WVTR值。 研究結果顯示，當5層預裂型ITO薄膜的預裂半徑(PC)與鍍膜彎曲半徑(SC)為 PC/SC=8mm/8mm時，ITO薄膜可以得到最佳的彎曲機械強度，在1000次半徑13mm的彎曲測試後，其電阻值變化率(ΔR/Ro)可以由單層99%下降到30%，在光學鈣測試法的觀察中得知，5層預裂型ITO薄膜的水氣穿透路徑主要為裂痕，而且裂痕的密度越高鈣膜氧化速度越快，顯示裂痕密度與水氣穿透率有相對應性，在PC/SC
=10mm/10mm條件下的WVTR值為9.04 〖×10〗^(-1) g/m²/day相比單層 1.31 g/m²/day，水氣穿透率有下降的趨勢，所以使用五層預裂型ITO有助於同時改善彎曲機械特性與阻氣率。