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石墨烯晶圓的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列地圖、推薦、景點和餐廳等資訊懶人包
石墨烯晶圓的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦張淑謙（主編）寫的 化工產品手冊：清洗化學品(第6版) 和(美)劉漢誠的 三維電子封裝的 通孔技術都 可以從中找到所需的評價。
另外網站美国最大石墨烯工厂扩产，年产3万个8英寸石墨烯晶圆！也說明：美国石墨烯和二维材料生产商Grolltex近日宣布完成其新的产能扩张，其在加利福尼亚州圣地亚哥的CVD单层石墨烯制造厂每年可生产30000个8英寸石墨烯晶 ...
這兩本書分別來自化學工業出版社 和化學工業所出版 。
逢甲大學 材料科學與工程學系 駱榮富所指導 王詠聖的 高分散性添加氧化錳之熱還原氧化石墨烯電極與超電容器應用 （2013），提出石墨烯晶圓關鍵因素是什麼，來自於還原氧化石墨烯、氧化錳、rGO/Mn3O4複合材料、超級電容器、熱裂解、哈默法。
而第二篇論文國立雲林科技大學 材料科技研究所 陳文照所指導 徐敏峻的 金屬奈米顆粒/石墨烯應用於燃料電池之研究 （2011），提出因為有 燃料電池、兩階段還原、石墨烯、鉑奈米顆粒的重點而找出了 石墨烯晶圓的解答。
最後網站中國8英寸石墨烯晶圓獲得突破，在尺寸和 ... - bignews365.com則補充：從2009開始到現在，歷經十餘年，石墨烯8英寸晶圓實現重大技術突破，且已經實現穩定的小批量生產，基于石墨烯的電子和光子元件已經在高速、低功耗的資料/ ...
化工產品手冊：清洗化學品(第6版)
為了解決石墨烯晶圓 的問題，作者張淑謙（主編） 這樣論述：
《化工產品手冊:清洗化學品(第6版)》包含清洗化學產品的產品名稱、性狀、結構和組成、質量標准、用途、規格、生產、安全性及有關信息。在技術方面簡單介紹了成功的應用案例，反映了工業清洗技術在國內的動態與成果。工業清洗近年來在清洗行業中的地位越來越重要，工業清洗劑作為工業清洗的重要組成部分，其配方的設計和配制工藝是清洗劑開發的關鍵。《化工產品手冊:清洗化學品(第6版)》以清洗劑為主線，介紹了在各領域應用的工業清洗劑的配方與工藝，包括石油煉油工業清洗劑，油墨、塑橡工業清洗劑，冶金工業清洗劑，電子工業清洗劑，建築工業清洗劑，交通工業清洗劑，民航工業清洗劑，家用電器工業清洗劑，化學工業
清洗劑，機械工業清洗劑，食品工業清洗劑以及其他工業清洗劑。
高分散性添加氧化錳之熱還原氧化石墨烯電極與超電容器應用
為了解決石墨烯晶圓 的問題，作者王詠聖 這樣論述：
本實驗主要研究包刮下列諸課題: (1)以哈默法(Hummers’ Method)製備氧化石墨烯(GO)粉體，(2)還原溫度對還原氧化石墨烯(rGO)微觀結構與鍵結特性之影響，(3)氧化錳添加量對rGO/Mn3O4之微觀結構影響，(4)氧化錳添加量對rGO/Mn3O4電容特性之影響。 研究結果得知，吾人以哈默法可獲得高純度與高氧化度之GO粉體。接著藉調控熱裂解溫度以轉化為rGO奈米粉體，隨著提高還原溫度，來增進rGO粉體比表面積。還原溫度為1,100oC時，所獲得rGO粉體之最佳比表面積為658.55 m2/g。再將所獲高比表面積rGO粉體當做基材，進一步製作rGO/Mn3O4複合材料。由T
EM與SEM證實氧化錳添加量為58 wt%時，氧化錳顆粒能均勻分散在rGO層間表面。以所製之rGO粉體與rGO/Mn3O4複合材料投入Na2SO4電解液(濃度1 M)中，以掃描速率25 mV/s條件進行循環伏安(CV)分析。當rGO還原溫度1,100oC時，rGO樣品的比電容值為78.18 F/g，而rGO/Mn3O4 (58 wt%)複合材料樣品的電容值則升為133.95 F/g，此結果證實添加氧化錳的確可提高rGO之比表面積利用率，並增進超電容效能。
三維電子封裝的 通孔技術
為了解決石墨烯晶圓 的問題，作者(美)劉漢誠 這樣論述：
本書系統討論了用於電子、光電子和微機電系統（MEMS）器件的三維集成硅通孔（TSV）技術的最新進展和可能的演變趨勢，詳盡討論了三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和潛在解決方案。首先介紹了半導體工業中的納米技術和三維集成技術的起源和演變歷史，然后重點討論TSV制程技術、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過程中的拿持技術、三維堆疊的微凸點制作與組裝技術、芯片與芯片鍵合技術、芯片與晶圓鍵合技術、晶圓與晶圓鍵合技術、三維器件集成的熱管理技術以及三維集成中的可靠性問題等，最后討論了具備量產潛力的三維封裝技術以及TSV技術的未來發展趨勢。本書適合從事電子、光電子、MEMS等器件三維集成的工程師、科研人員和技術管
理人員閱讀，也可以作為相關專業大學高年級本科生和研究生教材和參考書。John H. Lau（劉漢誠）博士，於2010年1月當選台灣工業技術研究院院士。之前，劉博士曾作為訪問教授在香港科技大學工作1年，作為新加坡微電子研究所（IME）所屬微系統、模組與元器件實驗室主任工作2年，作為資深科學家在位於加利福尼亞的HPL、安捷倫公司工作超過25年。劉漢誠博士是電子器件、光電子器件、發光二極管（LED）和微機電系統（MEMS）等領域著名專家，多年從事器件、基板、封裝和PCB板的設計、分析、材料表征、工藝制造、品質與可靠性測試以及熱管理等方面工作，尤其專注於表面貼裝技術（SMT）、晶圓級倒裝芯片封裝技術、
硅通孔（TSV）技術、三維（3D）IC集成技術以及SiP封裝技術。在超過36年的研究、研發與制造業經歷中，劉漢誠博士發表了310多篇技術論文，編寫和出版書籍120多章，申請和授權專利30多項，並在世界范圍內做了270多場學術報告。獨自或與他人合作編寫和出版了17部關於TSV、3D MEMS封裝、3D IC集成可靠性、先進封裝技術、BGA封裝、芯片尺寸封裝（CSP）、載帶鍵合（TAB）、晶圓級倒裝芯片封裝（WLP）、高密度互連、板上芯片（COB）、SMT、無鉛焊料、釺焊與可靠性等方面的教材。 第1章 半導體工業中的納米技術和3D集成技術11.1引言11.2納米技術11.2.1
納米技術的起源11.2.2納米技術的重要里程碑11.2.3石墨烯與電子工業31.2.4納米技術展望31.2.5摩爾定律：電子工業中的納米技術41.33D集成技術51.3.1TSV技術51.3.23D集成技術的起源71.43DSi集成技術展望與挑戰81.4.13DSi集成技術81.4.23DSi集成鍵合組裝技術91.4.33DSi集成技術面臨的挑戰91.4.43DSi集成技術展望91.53DIC集成技術的潛在應用與挑戰101.5.13DIC集成技術的定義101.5.2移動電子產品的未來需求101.5.3帶寬和寬I/O的定義111.5.4存儲帶寬111.5.5存儲芯片堆疊121.5.6寬I/O存儲
器131.5.7寬I/O動態隨機存儲器（DRAM）131.5.8寬I/O接口171.5.92.5D與3DIC集成（無源與有源轉接板）技術171.62.5DIC集成（轉接板）技術的最新進展181.6.1用作中間基板的轉接板181.6.2用於釋放應力的轉接板201.6.3用作載板的轉接板221.6.4用於熱管理的轉接板231.73DIC集成無源TSV轉接板技術的新趨勢231.7.1雙面貼裝空腔式轉接板技術241.7.2有機基板開孔式轉接板技術251.7.3設計舉例251.7.4帶散熱塊的有機基板開孔式轉接板技術271.7.5超低成本轉接板271.7.6用於熱管理的轉接板技術281.7.7用於LED
和SiP封裝的帶埋入式微流體通道的轉接板技術291.8埋入式3DIC集成技術321.8.1帶應力釋放間隙的半埋入式轉接板331.8.2用於光電子互連的埋入式3D混合IC集成技術331.9總結與建議341.10參考文獻35第2章 TSV技術392.1引言392.2TSV的發明392.3采用TSV技術的量產產品402.4TSV孔的制作412.4.1DRIE與激光打孔412.4.2制作錐形孔的DRIE工藝442.4.3制作直孔的DRIE工藝462.5絕緣層制作562.5.1熱氧化法制作錐形孔絕緣層562.5.2PECVD法制作錐形孔絕緣層582.5.3PECVD法制作直孔絕緣層的實驗設計582.5.
4實驗設計結果602.5.5總結與建議612.6阻擋層與種子層制作622.6.1錐形TSV孔的Ti阻擋層與Cu種子層632.6.2直TSV孔的Ta阻擋層與Cu種子層642.6.3直TSV孔的Ta阻擋層沉積實驗與結果652.6.4直TSV孔的Cu種子層沉積實驗與結果672.6.5總結與建議672.7TSV電鍍Cu填充692.7.1電鍍Cu填充錐形TSV孔692.7.2電鍍Cu填充直TSV孔702.7.3直TSV盲孔的漏電測試722.7.4總結與建議732.8殘留電鍍Cu的化學機械拋光（CMP）732.8.1錐形TSV的化學機械拋光732.8.2直TSV的化學機械拋光742.8.3總結與建議822
.9TSVCu外露832.9.1CMP濕法工藝832.9.2干法刻蝕工藝862.9.3總結與建議892.10FEOL與BEOL902.11TSV工藝902.11.1鍵合前制孔工藝912.11.2鍵合后制孔工藝912.11.3先孔工藝912.11.4中孔工藝912.11.5正面后孔工藝912.11.6背面后孔工藝922.11.7無源轉接板932.11.8總結與建議932.12參考文獻94第3章 TSV的力學、熱學與電學行為973.1引言973.2SiP封裝中TSV的力學行為973.2.1有源／無源轉接板中TSV的力學行為973.2.2可靠性設計（DFR）結果1003.2.3含RDL層的TSV10
23.2.4總結與建議1053.3存儲芯片堆疊中TSV的力學行為1053.3.1模型與方法1053.3.2TSV的非線性熱應力分析1063.3.3修正的虛擬裂紋閉合技術1083.3.4TSV界面裂紋的能量釋放率1103.3.5TSV界面裂紋能量釋放率的參數研究1103.3.6總結與建議1153.4TSV的熱學行為1163.4.1TSV芯片／轉接板的等效熱導率1163.4.2TSV節距對TSV芯片／轉接板等效熱導率的影響1193.4.3TSV填充材料對TSV芯片／轉接板等效熱導率的影響1203.4.4TSVCu填充率對TSV芯片／轉接板等效熱導率的影響1203.4.5更精確的計算模型1233.4
.6總結與建議1253.5TSV的電學性能1253.5.1電學結構1253.5.2模型與方程1263.5.3總結與建議1273.6盲孔TSV的電測試1283.6.1測試目的1283.6.2測試原理與儀器1283.6.3測試方法與結果1313.6.4盲孔TSV電測試指引1333.6.5總結與建議1363.7參考文獻136第4章 薄晶圓的強度測量1404.1引言1404.2用於薄晶圓強度測量的壓阻應力傳感器1404.2.1壓阻應力傳感器及其應用1404.2.2壓阻應力傳感器的設計與制作1404.2.3壓阻應力傳感器的校准1424.2.4背面磨削后晶圓的應力1444.2.5切割膠帶上晶圓的應力149
4.2.6總結與建議1504.3晶圓背面磨削對Cu?low?k芯片力學行為的影響1514.3.1實驗方法1514.3.2實驗過程1524.3.3結果與討論1544.3.4總結與建議1604.4參考文獻161第5章 薄晶圓拿持技術1635.1引言1635.2晶圓減薄與薄晶圓拿持1635.3黏合是關鍵1635.4薄晶圓拿持問題與可能的解決方案1645.4.1200mm薄晶圓的拿持1655.4.2300mm薄晶圓的拿持1725.5切割膠帶對含Cu/Au焊盤薄晶圓拿持的影響1765.6切割膠帶對含有Cu?Ni?Au凸點下金屬（UBM）薄晶圓拿持的影響1775.7切割膠帶對含RDL和焊錫凸點TSV轉接板
薄晶圓拿持的影響1785.8薄晶圓拿持的材料與設備1805.9薄晶圓拿持的黏合劑和工藝指引1815.9.1黏合劑的選擇1815.9.2薄晶圓拿持的工藝指引1825.10總結與建議1825.113M公司的晶圓支撐系統1835.12EVG公司的臨時鍵合與解鍵合系統1865.12.1臨時鍵合1865.12.2解鍵合1865.13無載體的薄晶圓拿持技術1875.13.1基本思路1875.13.2設計與工藝1875.13.3總結與建議1895.14參考文獻189第6章 微凸點制作、組裝與可靠性1926.1引言192A部分：晶圓微凸點制作工藝1936.2內容概述1936.3普通焊錫凸點制作的電鍍方法193
6.43DIC集成SiP的組裝工藝1946.5晶圓微凸點制作的電鍍方法1946.5.1測試模型1946.5.2采用共形Cu電鍍和Sn電鍍制作晶圓微凸點1956.5.3采用非共形Cu電鍍和Sn電鍍制作晶圓微凸點2006.6制作晶圓微凸點的電鍍工藝參數2026.7總結與建議203B部分：超細節距晶圓微凸點的制作、組裝與可靠性評估2036.8細節距無鉛焊錫微凸點2046.8.1測試模型2046.8.2微凸點制作2046.8.3微凸點表征2056.9C2C互連細節距無鉛焊錫微凸點的組裝2106.9.1組裝方法、表征方法與可靠性評估方法2106.9.2C2C自然回流焊組裝工藝2116.9.3C2C自然回
流焊組裝工藝效果的表征2116.9.4C2C熱壓鍵合（TCB）組裝工藝2126.9.5C2C熱壓鍵合（TCB）組裝工藝效果的表征2146.9.6組裝可靠性評估2146.10超細節距晶圓無鉛焊錫微凸點的制作2196.10.1測試模型2196.10.2微凸點制作2196.10.3超細節距微凸點的表征2196.11總結與建議2216.12參考文獻221第7章 微凸點的電遷移2247.1引言2247.2大節距大體積微焊錫接點2247.2.1測試模型與測試方法2247.2.2測試步驟2267.2.3測試前試樣的微結構2267.2.4140℃、低電流密度條件下測試后的試樣2277.2.5140℃、高電流密
度條件下測試后的試樣2297.2.6焊錫接點的失效機理2317.2.7總結與建議2327.3小節距小體積微焊錫接點2337.3.1測試模型與方法2337.3.2結果與討論2357.3.3總結與建議2417.4參考文獻241第8章 芯片到芯片、芯片到晶圓、晶圓到晶圓鍵合2458.1引言2458.2低溫焊料鍵合基本原理2458.3低溫C2C鍵合［（SiO2/Si3N4/Ti/Cu）到（SiO2/Si3N4/Ti/Cu/In/Sn/Au）］2468.3.1測試模型2468.3.2拉力測試結果2488.3.3X射線衍射與透射電鏡觀察結果2508.4低溫C2C鍵合［（SiO2/Ti/Cu/Au/Sn/I
n/Sn/Au）到（SiO2/Ti/Cu/Sn/In/Sn/Au）］2528.4.1測試模型2528.4.2測試結果評估2538.5低溫C2W鍵合［（SiO2/Ti/Au/Sn/In/Au）到（SiO2/Ti/Au）］2548.5.1焊料設計2558.5.2測試模型2558.5.3用於3DIC芯片堆疊的InSnAu低溫鍵合2578.5.4InSnAuIMC層的SEM、TEM、XDR、DSC分析2588.5.5InSnAuIMC層的彈性模量和硬度2598.5.6三次回流后的InSnAuIMC層2598.5.7InSnAuIMC層的剪切強度2608.5.8InSnAuIMC層的電阻2628.5.9
InSnAuIMC層的熱穩定性2638.5.10總結與建議2648.6低溫W2W鍵合［TiCuTiAu到TiCuTiAuSnInSnInAu］2648.6.1測試模型2658.6.2測試模型制作2658.6.3低溫W2W鍵合2658.6.4CSAM檢測2678.6.5微結構的SEM/EDX/FIB/TEM分析2688.6.6氦泄漏率測試與結果2718.6.7可靠性測試與結果2728.6.8總結與建議2738.7參考文獻275第9章 3DIC集成的熱管理2789.1引言2789.2TSV轉接板對3DSiP封裝熱性能的影響2799.2.1封裝的幾何參數與材料的熱性能參數2799.2.2TSV轉接板
對封裝熱阻的影響2809.2.3芯片功率的影響2809.2.4TSV轉接板尺寸的影響2819.2.5TSV轉接板厚度的影響2819.2.6芯片尺寸的影響2829.33D存儲芯片堆疊封裝的熱性能2829.3.1均勻熱源3D堆疊TSV芯片的熱性能2829.3.2非均勻熱源3D堆疊TSV芯片的熱性能2829.3.3各帶一個熱源的兩個TSV芯片2839.3.4各帶兩個熱源的兩個TSV芯片2849.3.5交錯熱源作用下的兩個TSV芯片2859.4TSV芯片厚度對熱點溫度的影響2879.5總結與建議2879.63DSiP封裝的TSV和微通道熱管理系統2889.6.1測試模型2889.6.2測試模型制作28
99.6.3晶圓到晶圓鍵合2919.6.4熱性能與電性能2929.6.5品質與可靠性2939.6.6總結與建議2959.7參考文獻296第10章 3DIC封裝29910.1引言29910.2TSV技術與引線鍵合技術的成本比較30010.3Culowk芯片堆疊的引線鍵合30110.3.1測試模型30110.3.2Culowk焊盤上的應力30110.3.3組裝與工藝30410.3.4總結與建議31210.4芯片到芯片的面對面堆疊31310.4.1用於3DIC封裝的AuSn互連31310.4.2測試模型31310.4.3C2W組裝31610.4.4C2W實驗設計31910.4.5可靠性測試與結果32
210.4.6用於3DIC封裝的SnAg互連32310.4.7總結與建議32510.5用於低成本、高性能與高密度SiP封裝的面對面互連32610.5.1用於超細節距Culowk芯片的Cu柱互連技術32610.5.2可靠性評估32710.5.3一些新的設計32810.6埋入式晶圓級封裝（eWLP）到芯片的互連32810.6.12DeWLP與再布線芯片封裝（RCP）互連32810.6.23DeWLP與再布線芯片封裝（RCP）互連32910.6.3總結與建議32910.7引線鍵合可靠性33010.7.1常用芯片級互連技術33010.7.2力學模型33010.7.3數值結果33210.7.4實驗結果3
3310.7.5關於Cu引線的更多結果33410.7.6關於Au引線的結果33410.7.7Cu引線與Au引線的應力應變關系33510.7.8總結與建議33610.8參考文獻338第11章 3D集成的發展趨勢34411.1引言34411.23DSi集成發展趨勢34411.33DIC集成發展趨勢34511.4參考文獻346附錄A 量度單位換算表347附錄B 縮略語表351附錄C TSV專利355附錄D 推薦閱讀材料366D.1TSV、3D集成與可靠性366D.23DMEMS與IC集成380D.3半導體IC封裝384
金屬奈米顆粒/石墨烯應用於燃料電池之研究
為了解決石墨烯晶圓 的問題，作者徐敏峻 這樣論述：
本研究以氧化石墨烯化學還原法，將奈米顆粒鉑生長於石墨烯上，並在兩種階段還原劑添加下做探討。藉由拉曼光譜(Raman spectra)分析顯示，鉑/石墨烯經兩階段還原具有顯著的還原能力，將石墨氧化物還原成石墨烯。以穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察，顯示能將鉑金屬顆粒均勻地分散在石墨烯薄片上，並由選區繞射(SAED)圖得知奈米顆粒鉑為面心立方(FCC)之結構。同時在以X光繞射光譜儀(XRD)分析顯示，兩階段還原之方法將石墨烯變為更無序(random)，碳的峰值顯得越寬廣化(broaden)。以熱重分析儀(TGA)顯示，一階段還原60wt%，而兩階段還原80wt%，可知兩階段還原方法可獲得較高之熱穩
定性及較多含氧官能基之還原能力。電化學量測(C-V)在0.5M H2SO4溶液下進行，並無填充氮氣。還原時間越長可得到較高之氧化還原之電位，而在12小時可獲得最大之電催化之能力。利用兩階段還原之方法，在150℃、12小時還原下，獲得最大之電化學活性面積(ECSA) 159.48m2/g。總觀以上結論，在經由兩階段方式還原之鉑/石墨烯，改善石墨烯之層間距，提升熱穩定性及電化學活性面積。利用此最佳條件應用於燃料電池之研究。