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創新材料學

為了解決磁 控 濺鍍 優 缺點的問題，作者田民波 這樣論述：

　　《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。

VLSI概論

為了解決磁 控 濺鍍 優 缺點的問題，作者張勁燕 這樣論述：

　　 矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段以達到0.10μm0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electro plating)、

無電極電鍍(electroless plating)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 　　本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：明新工專電子科副教授（或兼科主任）逢甲大學電子系副教授逢甲大學電機系副教授（或兼

系主任） 現職：逢甲大學電子系副教授 專長　　半導體元件、物理　　VLSI製程設備及廠務　　奈米科技　　積體電路構裝

利用反應性直流濺鍍系統製備Cr-CrN薄膜 應用於超級電容之吸附層

為了解決磁 控 濺鍍 優 缺點的問題，作者吳宗翰 這樣論述：

近年來隨著全球能源逐漸短缺的狀況下，有關儲能系統與再生能源的研究開始蓬勃發展。而超級電容系統也是其中之一，超級電容系統不但擁有瞬間輸出大功率的特性，也擁有比起一般傳統電容能夠具有更多的電容量。其中以碳電極作為超級電容更是優異，擁有較高的電容量，但其缺點是其結構無法承受一瞬間大量電流的通過，影響其耐久性與快充性。本研究主要利用Cr-CrN薄膜其多孔性柱狀晶結構，能夠使超級電容充放電過程中增加其電荷吸附，能夠有效增加超級電容的電容量，使用反應性直流濺鍍系統沉積Cr-CrN薄膜，配合膠狀電解液製備出超級電容元件。本實驗以前驅氣體比例Ar：N = 40：10與功率350W下濺鍍Cr-CrN薄膜作為超

級電容吸附層有最佳的效果，雙電層電容器(EDLC)元件電容量可達1.615 mF/cm2，元件結構穩定，可承受100mA的電流充放，循環壽命可達767圈，且充放電過程中並無法拉第效應產生。上述結果證明Cr-CrN薄膜應用於EDLC的吸附層材料的可行性，配合方便、成本低廉且再現性極高的濺鍍製程，使其更具有商業化的潛力。