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國立臺北科技大學 製造科技研究所 蘇程裕所指導 張秉豐的 碳化鉭厚膜石墨坩堝保護層製程之研究 (2021),提出Beta particle 中文關鍵因素是什麼,來自於碳化矽、碳化鉭、石墨坩堝、保護層、膠體、燒結製程。

而第二篇論文逢甲大學 材料科學與工程學系 梁辰睿所指導 黃冠諭的 應用自開發之程序控制系統於電漿電解氧化製程以探討氧化膜性能提升機制之研究 (2021),提出因為有 多階段程序控制系統、微弧氧化技術(電漿電解氧化技術)、Mn: TiO2光觸媒、表面改質、製程優化的重點而找出了 Beta particle 中文的解答。

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超弦和M理論導論(英文第2版)

為了解決Beta particle 中文的問題,作者(美)加來道雄 這樣論述:

超弦和M理論是現代物理學中最有趣最活躍的研究課題之一。該問題比較困難同時也充滿爭議,一些人稱之為“終極理論”,這是因為超弦理論有可能解決困擾人們多年的難題,即統一二十世紀最偉大的兩個理論:廣義相對論和量子場論。 《超弦和M理論導論(第2版)》全面細緻地講解超弦理論和該領域的最新研究進展,內容包括四維超弦,Kac-Moody代數,Teichmuller空間和Calabi-Yau流形,M理論和D膜,對偶和BPS關係,矩陣模型等,可以作為研究生教材,同時對研究人員也有參考價值。作者首先簡要介紹了點粒子理論,然後利用費曼路徑積分詳細討論超弦理論。超弦研究需要很多數學工具,書中分別

作了介紹,如指標定理,同調論和Kahler流形等。在第二版中,作者對內容做了整體修訂,並添加了M理論的三個新章節。閱讀《超弦和M理論導論(第2版)》需要量子力學和相對論的基本知識。 讀者對象:理論物理、高能物理、場論和絃論等專業的高年級本科生、研究生和相關專業的科研人員。  

碳化鉭厚膜石墨坩堝保護層製程之研究

為了解決Beta particle 中文的問題,作者張秉豐 這樣論述:

摘要 i目錄 iv圖目錄 vii表目錄 xi第一章 緒論 11.1 前言 11.2研究動機與目的 2第二章 文獻回顧 32.1碳化矽(SiC)製備方法 32.1.1高溫化學氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HT-CVD)及液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 32.1.2物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT) 52.1.3 石墨坩堝在長晶過程之缺陷 72.2開發應用於石墨坩堝之保護層 112.2.1保護層材料選擇 112.2.2碳化鉭性質 132.2.3碳化鉭

保護層製備方法 152.2.4碳化鉭保護層與石墨坩堝熱膨脹係數之影響 172.2.5 塗覆碳化鉭保護層之石墨坩堝與熱導率關係 182.2.6以多階層方法製備碳化鉭保護層 212.2.7碳化鉭中間層對附著力之影響 242.3碳化鉭漿料製備 292.3.1 膠體間之相互作用 302.3.2 奈米粉末在高分子溶劑下之懸浮性 332.3.3 添加表面活性劑之作用 362.4燒結理論 392.4.1 脫脂製程 402.4.2 燒結驅動力 412.4.3 燒結機制 422.4.4固相燒結(Solid Phase Sintering) 442.4.5小結 44第三章 實驗步驟與方法 463.1實驗流程 4

63.2石墨基材製備 473.3碳化鉭漿料製備 473.3.1碳化鉭粉末 473.3.2調配高分子溶劑與分散劑 473.2.3調配漿料流程 483.2.4碳化鉭漿料分析 483.3製備鍵結層 493.4石墨基板塗覆製程 503.4脫脂製程 513.5燒結製程 523.6實驗儀器及原理 533.6.1 XRD分析 533.6.2 SEM分析 533.6.3聚焦離子束顯微系統(FIB) 543.6.4穿透式電子顯微鏡(TEM)分析 543.6.5熱重分析(TGA) 543.6.6電位分析(Zeta Potential) 553.6.7傅立葉轉換紅外線光譜分析儀(FTIR) 55第四章 結果與討論

564.1漿料分析 564.1.1粉末粒徑及晶相分析 564.1.2碳化鉭漿料之流變性質 574.1.2.1 黏結劑(PMMA)含量對於碳化鉭漿料之流變性 574.1.2.2 不同分散劑對於碳化鉭漿料懸浮性之影響 614.1.3碳化鉭及高分子材料之FT-IR分析 644.2碳化鉭保護層燒結結果分析 664.2.1高分子膠體溶液之TGA分析 664.2.2碳化鉭鍵結層對於石墨基材附著力之影響 674.2.3塗覆生胚成形性及3D光學顯微鏡測量厚度 694.2.4微觀結構 714.2.5保護層晶相分析 744.2.6以多階層方法製備之碳化鉭保護層燒結成果分析 754.2.7鍵結層相態變化分析 7

9第五章 結論 83參考文獻 84

應用自開發之程序控制系統於電漿電解氧化製程以探討氧化膜性能提升機制之研究

為了解決Beta particle 中文的問題,作者黃冠諭 這樣論述:

誌謝 I中文摘要 II英文摘要 IV目次 VI圖目次 X表目次 XVIIIChapter.1 前言 11.1 電漿電解氧化技術的發展背景 11.2 研究動機 4Chapter.2 電漿電解氧化處理 52.1 電漿電解氧化(PEO) 52.1.1 電漿電解氧化機制原理 62.1.2 膜層電擊穿機制 112.1.3 電漿電解氧化之電源參數影響 152.1.4 PEO製程的物理/化學反應機制 182.2 PEO氧化膜層特性 252.2.1 膜層的反應與形成機制 252.2.2 PEO處理中常見的基材金屬 292.3 PEO製程常見的電解

質成分 342.4 程序控制法 382.5 應用於Mn摻雜TiO2光催化劑薄膜 402.5.1 揮發性有機汙染物 402.5.2 光催化反應機制 412.5.3 Mott-Schottky方程 442.5.4 二氧化鈦光觸媒 462.5.5 二氧化鈦光觸媒的製備方法 512.5.6 提升二氧化鈦光觸媒光吸收效能之技術 542.6 應用於HA與L乳酸鈣於生醫改質氧化膜層 572.6.1 PEO於生醫改質之發展與應用 572.6.2 PEO生醫改質中常見的金屬植體 582.6.3 氫氧基磷灰石與L-乳酸鈣於生醫改質之用途 592.7 研究目的與實

驗規劃 61Chapter.3 程序控制法於PEO製程之應用 633.1 實驗方法 633.1.1 程序控制系統與設備 633.1.2 實驗設計 643.1.3 Mn: TiO2光催化劑實驗流程設計 683.1.4 以懸浮液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 713.1.5 以離子溶液液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 743.2 實驗基材選用與藥品準備 773.3 程序控制法於PEO製程基本分析 793.3.1 電源系統監控分析 793.3.2 膜層表面形貌與成分分析 793.3.3 孔徑與孔隙率分析 793.3.4

晶體結構相組成分析 803.3.5 紫外光-可見光吸收光譜分析 813.3.6 載子濃度分析 813.3.7 X射線光電子能譜分析 823.3.8 懸浮微粒之粒徑大小分析 83Chapter.4 多階段程序控制於PEO處理製備摻雜Mn: TiO2光催化劑 844.1 Mn: TiO2光催化劑特性探討 844.1.1 第一步驟製程設計對二氧化鈦膜層影響 844.1.2 不同含浸濃度錳離子對於二氧化鈦特性比較 904.1.3 不同電源模式含錳離子之二氧化鈦特性差異 1034.1.4 含浸法對錳離子含量之影響與離子機制之探討 1144.2 光觸媒催化效能測

試 119Chapter.5 以懸浮液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1215.1 HA於多階段程序控制PEO之影響 1215.1.1 單階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1215.1.2 雙階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1225.1.3 多階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1295.2 HA於增加陽極氧化前處理之影響 1415.2.1 陽極處理膜層之特性探討 1415.2.2 陽極處理-多階段程序控制PEO膜層特性探討 142Chapter.6 以離子溶液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1626.1 電解液A於PE

O不同階段製程之膜層特性探討 1626.1.1 電解液A之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1626.1.2 電解液A之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 1706.2 電解液B於PEO不同階段製程之膜層特性探討 1736.2.1 電解液B之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1736.2.2 電解液B之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 182Chapter.7 結論與未來展望 1917.1 結論 1917.2 未來展望 192參考文獻 193