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CVD 鑽的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓寫的 半導體製程設備技術(2版) 和田民波的 創新材料學都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自五南 和五南所出版 。
國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 柯文政所指導 鍾官諭的 製備具多層石墨烯電極之氮化鎵高電子遷移率電晶體及其特性研究 （2021），提出CVD 鑽關鍵因素是什麼，來自於石墨烯、高電子遷移率電晶體。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 張立所指導 林沅諭的 濺鍍於單晶鑽石之TiC薄膜性質研究 （2021），提出因為有 鑽石元件、TiC薄膜、退火的重點而找出了 CVD 鑽的解答。
半導體製程設備技術(2版)
為了解決CVD 鑽 的問題，作者楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓 這樣論述：
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silic
on Wafer)基底材料(Substrate) 。 在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
製備具多層石墨烯電極之氮化鎵高電子遷移率電晶體及其特性研究
為了解決CVD 鑽 的問題，作者鍾官諭 這樣論述：
近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板上使用金屬摻雜調變石墨烯功函數，使其能在GaN上形成歐姆與蕭特基接觸，製備石墨烯電極，其高熱傳導特性能輔助散熱，提高元件熱穩定性。藉由使用氮摻雜超奈米晶鑽石薄膜(N-UNCD)作為固態碳源，配合鎳金屬催化層之熱處理轉換技術製備石墨烯薄膜。研究初期通過調整N-UNCD成長的預熱溫度、加入偏壓以及調整氮氣流量提高成核密度並降低石墨烯的電阻率，成功在氮化鎵基板上成長出均勻度高，電阻率的10 Ω-cm的連
續石墨烯薄膜。通過金屬摻雜方式在GaN HEMTs基板上製作石墨烯歐姆與蕭特基接觸，經變溫I-V量測，石墨烯歐姆接觸呈現正溫度係數，為過渡金屬特性；石墨烯蕭特基接觸在配合類鑽碳膜作為鈍化層後具有0.95 eV的蕭特基能障與1.36的理想因子。在變溫I-V量測中與傳統金屬相反，蕭特基能障隨溫度上升而增加，理想因子隨溫度上升而下降，適合在高溫操作下使用。後續使用金屬摻雜石墨烯電極結構應用在氮化鎵高電子遷移率電晶體，石墨烯電極具有較傳統金屬電極更高的飽和電流，適合高功率應用。通過調變閘極偏壓能夠觀察到飽和電流變化，能調變空乏區寬度，具控制能力；然而元件無法隨閘極逆偏壓的增加而截止。在變溫Ids-Vd
s量測中，石墨烯電極在320 oC下較室溫時僅有39%衰退，而傳統金屬電極則有51%衰退。在350 oC環境進行熱穩定性量測中，傳統金屬電極在2小時後有明顯衰退現象，電阻值也有所上升，而石墨烯電極則維持穩定，顯示石墨烯電極具有較佳的熱穩定性，適合應用於高功率操作。
創新材料學
為了解決CVD 鑽 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
濺鍍於單晶鑽石之TiC薄膜性質研究
為了解決CVD 鑽 的問題，作者林沅諭 這樣論述：
摘要 iABSTRACT iii致謝 vi目次 viii圖目次 xi表目次 xv第一章 緒論 1第二章 文獻回顧 32.1 鑽石性質與應用 32.1.1. 鑽石之基本性質 32.1.2. 鑽石的應用 62.2 碳化鈦之性質與應用 82.2.1. 碳化鈦之基本性質 82.2.2. 碳化鈦的應用 102.3 歐姆接觸理論與鑽石元件概述 112.3.1. 歐姆接觸之基本原理 112.3.2. 鑽石元件結構 142.3.3. 鑽石元件電極常見金屬 162.3.4. 鑽石半導體之歐姆
接觸文獻回顧 212.4 研究動機 30第三章 實驗方法 313.1 實驗設備 313.1.1. 直流磁控濺鍍系統 313.1.2. 鍍鉑機與鍍金機 363.2 實驗步驟 373.2.1. 鑽石基板前處理 373.2.3. 鍍Pt與鍍金薄膜 403.2.4. 退火 413.2.5. 實驗分組 423.3 分析設備與技術 433.3.1. I-V量測儀 433.3.2. X光繞射儀 (X-ray Diffractometer，XRD) 443.3.3. X光光電子能譜儀(X-ray photoelectro
n spectroscopy，XPS) 483.3.4 掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope，SEM) 50第四章 實驗結果 524.1 實驗參數與分組 524.2 XRD量測結果 534.3 XPS量測結果 574.4 電阻量測結果 664.5 SEM結果 674.6 實驗結果討論 69第五章 結論 77附錄一 XRD Database (Powder) 79附錄二 XPS 鍵結能(eV) 80參考文獻 81