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PVD CVD ALD 比較的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓寫的 半導體製程設備技術(2版) 可以從中找到所需的評價。
明志科技大學 材料工程系碩士班 阮弼群所指導 石皓頻的 以電漿輔助原子層沉積技術（PE-ALD） 製備三氧化鉬（MoO3）薄膜之特性研究 （2020），提出PVD CVD ALD 比較關鍵因素是什麼，來自於Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（PE-ALD）電漿增強原子層沉積、六羰基鉬（Ｍo（CO）6）、金屬/絕緣層/矽（MIS）結構。
而第二篇論文明志科技大學 材料工程系碩士班 張奇隆所指導 羅國峻的 高功率脈衝磁控濺鍍輔助陰極電弧 沉積氮化鈦薄膜之特性研究 （2020），提出因為有 高功率脈衝磁控濺鍍、陰極電弧沉積、奈米微晶、佔空比、調整功率、調整工作壓力、氮化鈦的重點而找出了 PVD CVD ALD 比較的解答。
半導體製程設備技術(2版)
為了解決PVD CVD ALD 比較 的問題，作者楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓 這樣論述：
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silic
on Wafer)基底材料(Substrate) 。 在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
以電漿輔助原子層沉積技術（PE-ALD） 製備三氧化鉬（MoO3）薄膜之特性研究
為了解決PVD CVD ALD 比較 的問題，作者石皓頻 這樣論述：
本實驗利用電漿輔助原子層沉積（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PE-ALD）技術成功製備MoO3。使用PE-ALD電漿輔助之特性，可降低後續結晶的退火溫度，提供半導體與光電元件低溫熱處理的需求。本研究主要改變不同電漿瓦數於鉬氧化物薄膜中，經由三種退火溫度退火（500 ℃、650 ℃、及800 ℃），觀察其電特性的變化，其中利用三種不同電漿瓦數（50 W、100 W、及150 W），並使用PE-ALD製程技術鍍製薄膜和分析儀器，如：X光繞射分析儀（XRD）來分析薄膜結晶相及薄膜優選方向；極圖（Pole figure）來分析結晶分佈、Raman測
量光子能量的改變；半導體分析儀量測電壓-電容（C-V）特性、電壓-電流（I-V）及利用原子力顯微鏡（AFM）針對不同退火溫度探討其表面形貌及表面粗糙度。MoO3薄膜是以Mo（CO）6為Precursor在Si基板上進行電漿輔助原子層沉積（PE-ALD）製程。由物性分析結果得知，XRD分析發現在RF = 50 W和100 W時，繞射峰屬於Orthorhombic斜方晶（-MoO3）晶體結構，繞射峰位於2θ = 12.76°、25.70°、39.00°、58.90°和67.40°，當功率增加到150 W時，結晶相變為Monoclinic單斜晶（-MoO3）晶體結構，繞射峰位於2θ = 23.0
1°、25.01°和51.33°，使用極圖分析薄膜優選方向在12.76°和25.70°處的極圖檢查結晶中的分佈。為了將來於半導體元件之應用，我們建立Al/MoO3/Si（MIS）結構來分析薄膜之電性，包含電容與缺陷分析。
高功率脈衝磁控濺鍍輔助陰極電弧 沉積氮化鈦薄膜之特性研究
為了解決PVD CVD ALD 比較 的問題，作者羅國峻 這樣論述：
本研究利用高功率脈衝磁控濺鍍(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS)輔助陰極電弧沉積(cathode arc evaporation)系統搭配Ti靶沉積氮化鈦 (TiN) 薄膜於碳化鎢鋼 (WC) 和矽晶片(100)及304不銹鋼 (SUS304)。並依序探討調控HiPIMS系統電源的功率、佔空比及改變腔體內的工作壓力對TiN薄膜微結構與機械性質的影響。I.不同HiPIMS電源功率下的影響改變HiPIMS功率，從0 kW到4 kW，透過場發射掃描式電子顯微鏡觀察到薄膜上的微粒數量及大小會隨著HiPIMS功率的上升而下降。TEM分析指出
TiN薄膜在高HiPIMS功率時 (4 kW) 能有效的降低薄膜的晶粒尺寸可以達到42.9 nm，且由於細晶強化效果導致硬度提高，並在TiN主膜層也觀察到奈米微晶結構可以增加細小的晶界，使差排較難移動，進一步的提升薄膜的硬度。在HiPIMS功率提升至4 kW時可以達到最少的表面微粒及最高硬度32.1 GPa，附著性可以達到137 N，磨耗率為2.1×10-6 mm3N-1m-1。II.不同HiPIMS佔空比下的影響改變HiPIMS不同佔空比從3 % 到DC，透過場發射掃描式電子顯微鏡分析結果顯示降低HiPIMS的佔空比後，表面微粒數量與大小會跟著下降，從TEM的分析觀察到TiN薄膜在低佔空比時
(3%)能有效的降低薄膜的晶粒尺寸，並達到最小的晶粒尺寸41.6 nm，且由於細晶強化效果導致硬度提高，最高可以達到33.6 GPa，附著性可以達到120 N，磨耗率為3.3×10-6 mm3N-1m-1。III.不同工作壓力下的影響第三階段是利用上面兩階段的最佳參數HiPIMS功率4 kW、佔空比3%，改變腔體內的工作壓力從15 mTorr到30 mTorr，希望能透過降低工作壓力來加強HiPIMS的效果，降低表面的微粒數量與大小。場發射掃描式電子顯微鏡結果顯示降低工作壓力後，表面微粒數量與大小會跟著下降，TEM的分析指出TiN薄膜在低工作壓力時(15 mTorr)薄膜的晶粒尺寸有顯著的下降
可以達到34.9 nm，在TiN主膜層也觀察到奈米微晶結構，可進一步的提升薄膜的硬度，在降低工作壓力至15 mTorr時可以得到最高硬度34.1 GPa，附著性可以達到123 N，磨耗率為2.3×10-6 mm3N-1m-1。本研究鍍製TiN薄膜最佳製程參數為HiPIMS功率4 kW、佔空比3%及工作壓力15 mTorr時可得到最佳薄膜機械性質，其硬度值為34.1 GPa及附著力可達123 N，磨耗率為2.3×10-6 mm3N-1m-1。