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利用電漿增強式原子層沉積系統製備氧化鎵應用於紫外光光電晶體之研究

為了解決cvd台積電的問題，作者吳培瑜 這樣論述：

摘要 IAbstract III致謝 XII目錄 XIV表目錄 XVIII圖目錄 XIX第一章 序論 11.1 寬能隙半導體與氧化鎵的發展 11.2 電晶體與光感測器的發展與重要性 21.3 光電晶體的發展與研究動機 41.4 論文架構 5第二章 基本理論與文獻回顧 62.1 薄膜基本特性 62.1.1 氧化鎵之薄膜特性 62.1.2 氧化鋁之薄膜特性 62.2 氧化鎵薄膜沉積 72.3 氧化鋁薄膜沉積 82.4 光電晶體之工作原理 92.5 光電晶體之元件特性 92.5.1 元件開關比 92.5.2 臨界電壓 102.

5.3 薄膜光學能隙計算 112.5.4 光響應度 112.5.5 漏電流 142.5.6 金屬與半導體的接面特性 152.5.7 等效雜訊功率與檢測度 16第三章 實驗機台與製程步驟 223.1 實驗藥劑和前驅物 223.2 元件製程機台 233.2.1 電漿增強式原子層沉積系統 233.2.2 電子束蒸鍍系統 243.2.3 光罩對準儀 243.2.4 石英爐管熱退火系統 253.2.5 快速熱退火系統 253.2.6 射頻磁控濺鍍系統 253.3 第一種結構氧化鎵光電晶體製作流程 263.4 第二種結構氧化鎵光電晶體製作流程

303.5 量測與分析儀器 323.5.1 光激發光頻譜儀 323.5.2 X光繞射分析儀 323.5.3 半導體參數分析系統 333.5.4 光電流特性量測系統 33第四章 實驗結果與討論 434.1 自我侷限效應 434.2 薄膜光學特性分析 444.2.1 氧化鎵薄膜光學特性分析 444.2.2 氧化鋁薄膜光學特性分析 444.3 氧化鎵的的結晶特性分析 454.4 氧化鎵光激發光特性與缺陷態分析 454.5 汲、源極熱退火影響分析 464.6 結構一氧化鎵光電晶體 474.6.1 不同閘極氧化層厚度之結構一光電晶體閘極漏電流分

析 474.6.2 閘極氧化層厚度50 nm之結構一光電晶體特性分析 484.6.3 閘極氧化層厚度70 nm之結構一光電晶體特性分析 484.6.4 閘極氧化層厚度100 nm之結構一光電晶體特性分析 494.6.5 不同閘極氧化層厚度之結構一光電晶體特性比較 494.7 結構二閘極氧化鎵光電晶體 504.7.1 閘極氧化層厚度50 nm之結構二光電晶體特性分析 504.7.2 閘極氧化層厚度70 nm之結構二光電晶體特性分析 514.7.3 閘極氧化層厚度100 nm之結構二光電晶體特性分析 514.7.4 不同閘極氧化層厚度之結構二光電晶體閘極漏電流分

析 524.7.5 不同閘極氧化層厚度之結構二光電晶體特性比較 524.8 響應時間特性分析 53第五章 結論與未來展望 77參考文獻 79

工業氣體行業在半導體產業的發展與轉型之案例研究 –以Air Liquide及Linde為例

為了解決cvd台積電的問題，作者郭文哲 這樣論述：

中 文 摘 要本文主要以世界主要的兩大工業氣體公司為例，探討工業氣體廠商在半導體製程不斷演進的發展過程當中扮演氣體供應角色的重要地位，並且隨著更微小化的半導體製程不斷的被開發出來的同時，如何能夠找到下世代的新材枓供應給客戶以維持良好的供應商關係，能夠持續生存並且不斷成長的方法。本文首先簡述工業氣體廠商跟半導體客戶的依存關係，描述世界主要工業氣體供應商歷年來的競爭以及併購合作過程，再來參考主要氣體大廠最近五年來的財務報告，了解中間過程中不同廠商各自發展的策略以及結果以進行說明。而後介紹此所應用之分析方法之架構，以個案研究法為主，對世界主要兩大氣體廠在半導體材料供應的整體發展過程、近十年來併購過

程、近幾年來的經營現況、及所經歷的關鍵決策，還有如何打進世界最大晶圓代工廠台積電之策略與歷程等進行敘述。最後以前述的分析方法，加上台積電力推的採購供應策略，歸納出了幾點可供台灣半導體材料供應商在如何進入主流供應鏈以及永續發展上，有高度參考價值，且具可行性的方法，相信可幫助目前處在產業轉型期的台灣眾多中小企業，並對台灣的經濟有相當程度的貢獻。