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中華大學 科技管理學系(所) 馬恆所指導 楊順惟的 半導體化學氣相沉積膜厚之預測使用神經網路 (2006),提出hdp cvd原理關鍵因素是什麼,來自於化學氣相沉積、薄膜厚度、神經網路、田口式品質工程。
最後網站CVD繁体_百度文库則補充:用化學反應將反應物(通常是氣體)生成固態的生成物,並在晶片表面沉積薄膜] CVD 藉 ... PECVD 的沈積原理與一般的CVD 之間並沒有太大的差異。 ... 電漿(HDP):電漿密?
半導體化學氣相沉積膜厚之預測使用神經網路
為了解決hdp cvd原理 的問題,作者楊順惟 這樣論述:
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)被廣泛的應用在半導體製程中,最主要的功用可作為蝕刻製程的阻擋層、蝕刻製程或化學機械研磨的停止層、元件隔絕或絕緣所需的絕緣層。而化學氣相沉積則是依據製程配方裡的製程參數沉積出所需的薄膜厚度。而薄膜厚度的品質也會影響後續製程的能力與限制,並進一步的影響到產品的變異,導致良率降低。在目前的半導體廠中對於膜厚的監測與控制,多以統計製程管制(Statistical process control, SPC)與工程製程管制(Engineering process control, EPC)作為對於膜厚的監測與控制,在實際上的經驗
是SPC尚需經過人員以其經驗值作為調整製程參數的依據,所以膜厚的品質會依據不同的人員經驗而有不同的結果,而 EPC會因為有製程上的雜訊(如前程製程的變異)或因為本身的演算法而產生過度控制的情形發生,均會導致製程中產品產生變異。 本研究即是以神經網路具有自我學習的功能,並利用倒傳遞神經網路(Back propagation)根據機台製程中的參數來預測膜厚。資料的來源係依據半導體CVD實際生產機台中的製程參數,並依據量測機台所得的結果所取得。機台中會影響產品變異的製程參數包括不同種類的氣體流量、液體流量、製程壓力、製程溫度以及製程間距等,利用田
口式品質工程實驗法建立化學氣相沉積機制的模型來研究並找出對於膜厚品質較具影響的製程參數作為倒傳遞神經網路的輸入,並以其輸出作為膜厚的預測結果,提供給工程人員作為調機的依據,並可藉此判斷產品是否產生變異。 本研究之目的如下:一、節省有經驗之工作人員的調機時間,可將時間致力於其它研究課題上。二、節省無經驗之工作人員的錯誤學習法。三、減少錯誤調機機率,提升良率。四、減少機台停頓時間,提升產量。五、當產品產生變異時可及時管制產品並及時停機減少損失。 本研究之結果如下:一、利用田口式品質工程實驗法,找出對於膜厚品質較具影響的製程參數作為倒傳遞類神經網路的輸入。二、製程參數對膜厚的影響程度。三、建立一類神
經網路模型得到較佳的膜厚預測結果。
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#25.Chap9 蝕刻(Etching)
乾式蝕刻的原理. ◇乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行 ... 採ECR設計的HDP,其高密度電漿,是 ... 顯示多重金屬化製程中常見的“鎢插塞”的製作流程:(a) CVD. 於 140.127.114.187 -
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化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業或光電產業使用此技術來沉積不同晶形的材料(單晶、多 ... 於 www.junsun.com.tw -
#42.博碩士論文行動網
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#43.化學氣相沉積 - Scribd
z 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition) ... 增進化學反應• 增加離子轟擊• 對CVD 製程, HDP在臨場,同步沉積/回蝕/沉積時增進間隙填充能力. (λ↑) 於 www.scribd.com -
#44.CVD |应用材料 - 半导体、显示器和太阳能
CVD.(化学气相沉积)制程可作类广泛内和成成电气的图属层薄膜薄膜绝缘绝缘绝缘绝缘绝缘绝缘绝缘材料材料材料材料材料材料材料绝缘绝缘绝缘绝缘 ... Ultima HDP-CVD. 於 www.944game.com -
#45.晶圓的處理-薄膜
氧化(oxidation). • 熱氧化法. • 薄膜堆積法:使用化學蒸氣沉. 積(chemical vapor deposition,. CVD). Page 7. 熱氧化法. • Si + O. 於 web.cjcu.edu.tw -
#46.化學氣相沉積與介電質薄膜
確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序 ... CVD 和SOG 加上CVD 介電質. • 淺溝槽絕緣(STI) ... HDP-CVD: 沉積和濺鍍蝕刻在同一時間. 於 140.117.153.69 -
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#48.LSI 多層配線用層間絶縁膜とそのインテグレーション技術 ...
第2章 薄膜形成と電気評価、薄膜含有物の測定、および薄膜改質の原理と技 ... 2.2 スピン塗布法による薄膜形成の原理と技術 ... 第4章 HDP-CVD による SiOF 膜形成. 於 nagoya.repo.nii.ac.jp -
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#50.采用主动匹配网络的XSTREAM远程等离子体源 - Advanced ...
工作原理. Xstream远程等离子体源使用中频射频电源产生一种等离子体,这种等离子体在环形铁氧体耦合感应等离子体腔 ... 使用反应性气体粒子(F原子)清洁HDP-CVD处理腔. 於 www.advancedenergy.com -
#51.化學氣相沉積- 維基百科,自由的百科全書
化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將 ... 於 zh.wikipedia.org -
#52.半導體製程技術導論(第三版) - 蕭宏| Readmoo 分享書
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#53.先兆子痫/帮助自我监测后血压(BP-PRESELF) - X-MOL
妊娠高血压疾病(HDP),例如先兆子痫(PE)或溶血性肝酶升高和低血小板(HELLP)综合征与心血管疾病(CVD)风险增加有关,但缺乏这种怀孕后的标准化预防指南。 於 www.x-mol.com -
#54.Deposition - Lam Research
プラズマCVD(PECVD)、高密度プラズマCVD(HDP-CVD)およびALDは電気素子を保護・絶縁するのに極めて大事な役割を果たす絶縁膜を形成するのに利用され ... 於 www.lamresearch.com -
#55.pvd cvd 原理PVD - Yxhsa
PCVD和PECVD有啥區別嗎? 原理上都一樣,都是等離子體進行的反應,如果按等離子濃度來分, PCVD<PECVD <HDP CVD 高密度等離子 ... 於 www.werkthewb.co -
#56.半導體製程技術 - 聯合大學
CVD 製程發生在大氣壓力常壓下. ▫ APCVD 製程用在沉積二氧化矽和氮化矽. ▫ APCVD臭氧—四乙氧基矽烷(O. 3. -TEOS)的氧化物製程被. 廣泛的使用在半導體工業上,尤其是 ... 於 web.nuu.edu.tw -
#57.Microsoft PowerPoint - Chap8_化學氣相沉積
11 CVD 原理當沉積反應完成之後, 反應的副產物(By-Products) 及部份未反應氣體, ... 32 HDP CVD PECVD 製程, 使用頻率為MHz 的電力來產生電漿其電漿內的離子濃度, ... 於 docsplayer.com -
#58.鍍膜技術實務
高密度電漿CVD (High Density Plasma CVD, HDP CVD):. 即電漿密度較一般傳統PECVD之反應裝置還高的一種 ... 原理:當電流(I)通過一電阻(R)時會產生熱能,其功率(P)正. 於 120.118.228.134 -
#59.半導體化學氣相沉積膜厚之預測使用神經網路
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)被廣泛的應用在半導體 ... 三、產品配方參數蒐集:本研究以HDP-CVD 高密度電漿化學氣相沉積製程. 於 chur.chu.edu.tw -
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并从薄膜的沉积原理着手,结合化学气相沉积工艺原理,研究利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜。 Starting with film deposition's principle and ... 於 www.dictall.com -
#61.IC 製程簡介
製程原理簡介: a. 擴散→ oxidation, doping ... [1] 原理– 在高溫氧化爐(oxidation furnace)中利用高純度的O ... HDPCVD* ( high density plasma ) CVD:. 於 www.topchina.com.tw -
#62.胡敏- CVD工艺资深工程师- 上海华力集成电路制造有限公司 - 领英
CVD OXIDE/ARL/NFARL等制程的维护和工艺异常处理,了解low K和NDC工艺,熟悉KLA膜厚量测的基本原理及recipe建立和维护。CVD SPC日常管控及制程稳定性维护。 於 cn.linkedin.com -
#63.【hdp cvd原理】第五章電漿基礎原理 +1 | 健康跟著走
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#64.絕緣體-金屬結構之高介電薄膜原子層化學氣相沉積… - Yihbk
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#71.開發具備新型堆疊式閘極氧化層與自動對準增高式源/汲極結構 ...
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#74.由二矽烷前驅物進行之遠端電漿化學氣相沈積的高品質氧化矽膜
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CVD 源材料吸附: TEOS • TEOS (tetra-ethyl-oxy-silane, Si(OC 2 H 5) 4) • 大的有機 ... dissociated into many fragmented reactive species in an HDP CVD system, ... 於 www.irual.me -
#76.HDP-CVD(high density plasma CVD) | 用語集 - セミネット ...
HDP -CVD. 英語表記:high density plasma CVD. 高密度プラズマ(high Density Plasma)を用いた化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)プロセス、またはそれを実現 ... 於 semi-net.com -
#77.dcvd hdp工艺在半导体制造中的应用和改善word格式论文.docx
金属互联层电浆损伤是HDPCVD工艺利用高密度的电浆对其填充绝缘薄膜二氧化硅,金属线出现弯曲, ... 6-2.1.4 高密度等离子体CVD(HDPCVD)工艺原理. 於 max.book118.com -
#78.半导体晶圆制造基础知识 - 智于博客
7:HDP DEP原理? A:在CVD的同时,用高密度的PLASMA轰击,防止CVD填充时洞口过早封死,产生空洞现象,因为有PLASMA轰击,所以HDP后要有RTA的步骤。 於 blog.zy-xcx.cn -
#79.化學氣相沉積設備 - Not my First
HDP -CVD 是一種利用電感耦合等離子體源的化學氣相沉積設備,HDP-CVD能夠在較低的沉積 ... 您當前位置: 首頁儀器設備薄膜沉積化學氣相沉積原理: 在保持一定壓力的原料 ... 於 www.notmyfirstrodeoblog.me -
#80.第五章電漿基礎原理
電漿基礎原理. 2. 電漿的成分. • 電漿是由中性原子或分子、 ... 高密度電漿(HDP)源的游離率就高. 得多,大約1% ... 對蝕刻製程和CVD來說非常重要. 8. 電漿蝕刻. 於 homepage.ntu.edu.tw -
#81.半导体薄膜淀积工艺基础知识 - 360doc个人图书馆
CVD 工艺原理□?? ... 典型物质(材料)的CVD工艺三、化学气相淀积工艺参考资料:《微电子制造科学原理与工程 ... 的制备采用PECVD或HDP-CVD工艺。 於 www.360doc.com -
#82.hdp cvd 原理高密度等離子體化學氣相淀積工藝簡介 ... - Gkgnae
HDP CVD 的工藝原理在HDP CVD 工藝問世之前,大多數芯片廠普遍采用等離子體增強 ... HDP CVD High density plasma chemical vapor deposition is a version of PECVD ... 於 www.alacialarbin.co -
#83.<建弘>半導體製程技術導論(三版) XIAO 蕭宏9789572195758
本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,使學生熟悉各種加工原理及其應用領域,以作為投入電子工業 ... 10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421 於 www.ruten.com.tw -
#84.化学气相沉积系统的种类、特点及应用 - 知乎专栏
原理 :化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或 ... 在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。 於 zhuanlan.zhihu.com -
#85.高穩定性及高效率矽薄膜太陽能電池 - 9lib TW
(HDP-CVD)開發低溫、低成本、高品質之矽薄膜技術,並發展可撓式. 非晶矽薄膜太陽能電池。 ... 9 2.1 氫化非晶矽薄膜及太陽能電池的原理 ... 9 2.2 實驗儀器 . 於 9lib.co -
#86.CVD | 寺子屋みほ
CVD (Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)のコンパクトな解説ページです。 C… ... HDP CVDは1つのチャンバー内でこれらを済ましてしまいます。 於 terakoyamiho.wordpress.com -
#87.hdp cvd 原理 - OSV
HDP CVD 的工艺原理在HDP CVD 工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。 这种工艺对于大于0.8 微米的间隙具有良好的 ... 於 www.tedwardgl.co -
#88.CN1447412A - 半导体器件的制造方法- Google Patents
从下面结合附图利用例子说明本发明原理的描述中,本发明的其它方案和优点将变得很 ... 淀积通过HDP-CVD形成的HDP氧化硅膜104以便用氧化硅膜104填充元件隔离沟槽102。 於 google.com -
#89.CVDと ガ ス - J-Stage
CVD は. 必須 な技術 となって いる。 本稿で は,な ... 基本原理. 図3にCVDの. 基本原理を簡単 に記す。 大まかに分類 して,膜 堆積 は以下の4っ ... プラズマ(HDPと. 於 www.jstage.jst.go.jp -
#90.hdp cvd原理 - 軟體兄弟
hdp cvd原理,化學氣相沉積(CVD). • 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition). ‧化學氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產生反. 應,在表面上以薄膜形式產生固態的副產. 於 softwarebrother.com -
#91.E4110 教學大綱表
描述不同形式的CVD沈積系統。 4.討論磊晶及3種不同的磊晶沈積方法。 ... 解釋高密度電漿(HDP) 蝕刻的優點。 3.討論濕蝕刻及其應用。 ... 討論摻質擴散的原理與製程。 於 selquery.ttu.edu.tw -
#92.TWM547181U - 利用二次電漿佈植的電漿蝕刻系統 - 數位感
英文摘要, High density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) has ... and SiON gate dielectric by... 2. 高純度解耦電漿氮化- Applied Materials. 於 timetraxtech.com -
#93.微纳加工应用工艺实践基础
基本原理和基本的工艺能力,让各院系学生和研究人员能够初步了解微 ... 第二章微纳米加工原理和过程. • 薄膜制备:化学气相沉积CVD. – 炉管CVD. 於 nano.ustc.edu.cn -
#94.廠務訓練課程
量測設備,10000級為鍍膜、CVD、爐管設備區域。 ‧100級採垂直層流式設計,空氣氣流運動成一均勻之直. 線,經由安裝在天花板上的FFU進入室內,再由高架 ... 於 in.ncu.edu.tw