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pvd廠商的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李曉干劉勐王奇寫的 半導體薄膜技術基礎 可以從中找到所需的評價。
另外網站半導體PVD設備龍頭打破壟斷未來國産化有望進一步提升 - 財華網也說明：今天來了解下半導體晶圓制造流程之一的PVD工藝的産業鏈及設備供應商。 ... 國内廠商北方華創（002371）的Al PAD PVD 已進入60-28nm産線，且14nm産線正 ...
中原大學 化學工程研究所 劉偉仁所指導 曾子芯的 利用電漿輔助化學沉積提升鋰離子電池中富鎳三元正極材料電化學性能之應用 （2021），提出pvd廠商關鍵因素是什麼，來自於鋰離子電池、富鎳三元正極材料、電漿改質、濺鍍、TiN 披覆、TiO2 披覆。
而第二篇論文國立成功大學 機械工程學系 蘇演良、高文顯所指導 陳冠宇的 磨潤、抗腐蝕及導電性質於CrCx與CrAlxC鍍層及應用於燃料電池金屬雙極板之研究 （2020），提出因為有 CrC鍍層、磨潤、抗腐蝕、雙極板的重點而找出了 pvd廠商的解答。
最後網站力鼎精密股份有限公司 - 104人力銀行則補充：草創初期，本公司的核心業務是供應半導體後段製程廠商所需的客製化設備，隨後旋即 ... 超高真空濺鍍系統；迄今，力鼎精密的產品包括全自動化的物理氣相沉積(PVD)設備、 ...
半導體薄膜技術基礎
為了解決pvd廠商 的問題，作者李曉干劉勐王奇 這樣論述：
本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本 書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。 李曉幹，博士，畢業于英國里茲大學材料研究所，大連理工大學電子科學與技術系副教授。中國儀器儀錶協會感測器分會理事；全國氣、
濕敏專業委員會委員。主要研究方向為高性能半導體敏感材料，納米材料敏感電子學，感測器元件與檢測系統。 第1章緒論1 本章小結5 習題6 第2章矽單晶材料學7 2.1矽及其化合物的基本性質7 2.2矽的晶體結構13 2.3矽的生長加工方法16 2.4矽材料與器件的關係19 本章小結21 習題22 第3章薄膜基礎知識23 3.1薄膜的定義及應用23 3.2薄膜結構、缺陷及基本性質26 3.2.1薄膜的基本結構及缺陷26 3.2.2薄膜的基本性質29 3.3薄膜襯底材料的一般知識34 3.3.1玻璃襯底34 3.3.2陶瓷襯底35 3.3.3單晶體襯底36 3.3.4襯底清洗37
3.4薄膜的性能檢測簡介40 3.4.1薄膜的厚度檢測40 3.4.2薄膜的可靠性43 本章小結44 習題44 第4章氧化技術46 4.1二氧化矽（SiO2）薄膜簡介47 4.2氧化技術原理49 4.2.1熱氧化技術的基本原理50 4.2.2水汽氧化51 4.2.3濕氧氧化工藝原理52 4.2.4三種熱氧化工藝方法的優缺點53 4.3氧化工藝的一般過程54 4.4氧化膜品質評價58 4.4.1SiO2薄膜表面觀察法58 4.4.2SiO2薄膜厚度的測量58 4.5熱氧化過程中存在的一般問題分析61 4.5.1氧化層厚度不均勻61 4.5.2氧化層表面的斑點61 4.5.3氧化層的針孔62 4.
5.4SiO2氧化層中的鈉離子污染62 本章小結62 習題63 第5章濺射技術64 5.1離子濺射的基本原理64 5.1.1濺射現象64 5.1.2濺射產額及其影響因素65 5.1.3選擇濺射現象70 5.1.4濺射鍍膜工藝70 5.2濺射工藝設備72 5.2.1直流濺射台74 5.2.2射頻濺射台77 5.2.3磁控濺射79 5.3濺射工藝應用及工藝實例80 本章小結83 習題83 第6章真空蒸鍍技術84 6.1真空蒸鍍技術簡介84 6.2真空蒸鍍工藝的相關參數86 6.2.1工藝真空86 6.2.2飽和蒸氣壓88 6.2.3蒸發速率和沉積速率88 6.3真空蒸鍍源89 6.4真空蒸鍍設備9
0 6.4.1熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機）92 6.4.2電子束蒸發台94 本章小結96 習題97 第7章CVD技術98 7.1CVD技術簡介98 7.2常用CVD技術簡介99 7.3低壓化學氣相澱積（LPCVD）103 7.4PECVD107 7.5CVD系統的模型及基本理論115 7.6CVD工藝系統簡介117 7.6.1CVD的氣體源系統118 7.6.2CVD的品質流量控制系統118 7.6.3CVD反應腔室內的熱源119 本章小結119 習題119 第8章其他半導體薄膜加工技術簡介121 8.1外延技術121 8.1.1分子束外延121 8.1.2液相外延（LPE）123 8.1.3氣
相外延（VPE）124 8.1.4選擇外延（SEG）125 8.2離子束沉積和離子鍍126 8.3電鍍技術128 8.4化學鍍131 8.5旋塗技術131 8.6溶膠—凝膠法133 本章小結134 習題134 參考文獻134 矽積體電路無疑是這個時代所創造的奇跡之一，正是這種能將數以千萬計的元器件集成於一塊面積只有幾平方釐米的矽晶片上的能力，造就了今天的資訊時代。矽集成電路技術綜合應用了多種不同領域的科學技術成果。薄膜技術的應用就是人們開發新材料和新器件的研究結晶，通過不同的技術手段，在半導體材料上進行薄膜的生長、腐蝕，形成所需要的各種結構，實現設計器件的功能。半導體薄膜技
術已經成為矽積體電路製造工藝中不可或缺的重要一環。 半導體薄膜技術的發展幾乎涉及所有的前沿學科，而半導體薄膜技術的應用與推廣又滲透到各個學科及應用技術的領域中。為此，許多國家對半導體薄膜技術和薄膜材料的研究開發極為重視。從發展趨勢看，在科學發展日新月異的今天，大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應用，薄膜作為一種重要的材料，在材料領域中佔據著越來越重要的地位。 目前，人們已經設計和開發出了多種不同結構和不同功能的薄膜材料，這些材料在化學分離、化學感測器、人工細胞、人工臟器、水處理等許多領域中，具有重要的潛在應用價值，被認為是21世紀膜科學與技術領域的重要發展方向之一。 本書主要介紹矽
單晶材料學、薄膜基礎知識、氧化技術、蒸發技術、濺射技術（PVD）、化學氣相澱積（CVD）技術及其他一些半導體薄膜加工技術。積體電路晶片的製造過程實際上就是在襯底上多次反復進行薄膜的形成、光刻和摻雜等工藝加工過程的組合。 在半導體工藝中，首要任務是解決薄膜加工工藝問題。積體電路技術的發展，要求製備薄膜的品種不斷增加，對薄膜的性能要求日益提高，新的薄膜製備方法也不斷湧現並逐漸成熟。本書主要介紹積體電路加工工藝過程中常用的薄膜製備技術，在介紹薄膜製備技術之前，對積體電路的發展歷程和今後的發展趨勢進行介紹，對積體電路製造中常用的襯底材料——矽的製備也進行詳細介紹，然後討論薄膜物理學。 在介紹每
一種薄膜製備工藝的過程中，還對各個製備工藝的設備原理進行簡單介紹。通過本書的學習，讀者可以掌握基本的半導體薄膜製備技術，瞭解薄膜製備工藝的特點和應用場所，瞭解不同薄膜製備工藝所製備薄膜的特點及相關測試方法，並對相關製造設備有一定瞭解，同時，還對部分相關設備的生產廠商進行簡要介紹。 …… 我們希望本書不僅成為一本簡單的教材，還可以成為廣大工程技術人員的一本參考手冊。由於半導體薄膜的技術內容非常豐富，本書不可能包含所有的薄膜技術，所以本書是以半導體薄膜技術的基礎研究為目的，在此基礎上再去深入研究各種薄膜製備技術，將不是很困難的事。 本書由李曉幹、王奇、劉猛共同編寫。其中，李曉幹主要編寫了緒論、
薄膜基礎知識、氧化技術和真空鍍膜技術，劉猛編寫了矽單晶材料學、CVD技術和其他半導體薄膜技術，王奇編寫了濺射工藝部分。全書由李曉幹、劉猛進行統稿。 由於半導體薄膜技術的發展日新月異，涉及的科學技術領域繁多，編寫者的水準有限，在編寫中存在錯誤在所難免，歡迎廣大讀者批評指正！ 作者 2018年1月
利用電漿輔助化學沉積提升鋰離子電池中富鎳三元正極材料電化學性能之應用
為了解決pvd廠商 的問題，作者曾子芯 這樣論述：
鋰離子電池作為一種新型的綠色能源，且具有多方面的優點，被廣泛應用於手機和筆記型電腦等數碼電子產品，純電動及混合動力新能源汽車，以及能源儲能系統之中。正極材料是鋰離子電池的關鍵組成，其不僅作為電極材料參與電化學反應，同時還要充當鋰離子源。理想的正極材料首先要有較高的化學穩定性和熱穩定性以保證充放電的安全，同時要有良好的電化學性能，具備較大的電容量與工作電壓、優良的循環和倍率性能。本實驗以廠商提供的商用富鎳正極材料粉末LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)在經過混漿塗佈後，再利用電漿濺鍍的方式進行表面改質，其中我們選擇了氮化鈦以及氧化鈦作為改質材料，而在電漿處理上因應不同改質材料
的性質需選擇直流或射頻濺鍍。在電漿改質後，由於TiN良好的導電性與導熱性使其提升初始電容量至218.3 mAh/g，並且高溫下的循環穩定性在40圈以前依然維持在200 mAh/g，而後才漸漸有下降的趨勢，以及透過DSC可以看到放熱峰後移了53oC，安全性能也得到改善；TiO2因為是絕緣體，相對導電性沒有像TiN來的好，因此我們著重討論TiN改質。將TiN改質後的極片放在大氣環境下五天後，透過XPS可以明顯看出因TiN披覆而有效保護極片，使NCM811不與空氣中的CO2反應產生Li2CO3。將極片進行充放電50圈後，從SEM可以看出改質後的NCM顆粒被完整的保護，而原始的NCM811出現巨大的裂
痕，進而影響電化學表現。經由一系列改質後的極片之結構分析與電化學分析，認為電漿濺鍍能有效控制改質膜厚以及品質穩定性，並且在正極材料的安全性與循環穩定性皆有提升，值得注意的是電漿改質的方式是有望一次生產大量，因此是具有發展潛力的改質方式應用於正極材料。
磨潤、抗腐蝕及導電性質於CrCx與CrAlxC鍍層及應用於燃料電池金屬雙極板之研究
為了解決pvd廠商 的問題，作者陳冠宇 這樣論述：
本研究以射頻RF非平衡磁控濺鍍，鍍製CrCx和CrAlxC鍍層在不銹鋼316L底材上，研究其鍍層的晶體結構、基本性質、機械性質、磨潤性質與燃料電池雙極板之性質分析，最後根據2020年美國能源部(DOE)之標準規範，進行商業化評測作為新的研究項目。本研究之實驗結果分為二個階段，第一階段為CrCx鍍層，經實驗分析後選擇最佳雙極板性質之鍍層添加Al元素，因此第二階段為CrAlxC鍍層，將比較鍍層添加Al前後之性質變化，另外將同樣條件的CrAlxC鍍層進行退火熱處理，比較熱處理前後之雙極板性質差異，代號就以CrAlxC-H表示。CrCx鍍層隨著乙炔增加，硬度是逐漸降低但其附著性卻有明顯的改善。磨耗試
驗以CrC35鍍層擁有最佳磨潤性質，其有最低的摩擦係數(0.07)、磨耗深度(0.64μm)和磨耗率(2.7×10-6 mm3/Nm)。在雙極板性質測試中，以CrC25鍍層顯示最低的電流密度(7×10-8 A/cm2)，具有最佳的耐腐蝕性；導電測試中也是CrC25鍍層具最高的導電率(2.5×104 S-cm-1)；而在接觸電阻測試中，CrC25鍍層與碳紙之間在140 N cm-2的壓力下的接觸電阻為7.2mΩ-cm2，因此CrC25鍍層的腐蝕電流密度(〈1μA/cm2)、導電率(〉100 S-cm-1)和接觸電阻(〈10mΩ-cm2)皆滿足DOE的規範要求。添加鋁的CrAlxC鍍層其硬度有些許
的提升，但是附著性卻是明顯得下降，其中CrAl1C鍍層具有最佳的磨潤性質，其擁有最低的摩擦係數(0.12)、磨耗深度(0.57μm)和磨耗率(2.97×10-6 mm3/Nm)。在雙極板性質測試中，同樣是CrAl1C鍍層顯示最低的電流密度(2.31×10-5 A/cm2)；導電性測試也是CrAl1C鍍層顯示了最高的導電率(1.48×104 S-cm-1)；在接觸電阻測試中，CrAl1C鍍層的接觸電阻則為6.9mΩ-cm2，因此雖然CrAl1C鍍層的導電率和接觸電阻，皆有滿足DOE的規範要求，但是其腐蝕電流密度(〈1μA/cm2)卻不滿足規範要求。而在經過熱處理之後的CrAlxC-H鍍層，僅有導
電性質有些許的提升，其抗腐蝕性及接觸電阻皆因為熱處理後性質變差。