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鎂摻雜對於大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積雙通道層非晶銦鎵鋅氧薄膜電晶體影響之研究

為了解決sk letter logo的問題，作者劉政 這樣論述：

大尺寸、高解析度、快速畫面更新率為當今平面顯示器發展的趨勢，非晶氧化物薄膜電晶體(AOS TFTs)被視為是朝此趨勢發展不可或缺的關鍵。在製程上通道層材料必須滿足低溫製程的限制，而非晶氧化物半導體材料能夠在低溫製程下表現出不俗的遷移率，其中銦鎵鋅氧(IGZO)則為最具有競爭力的材料。在本篇論文中，我們利用大氣常壓電漿輔助化學沉積(AP-PECVD)來成長銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜，元件採用背電極之結構並將通道層改為雙通道層。在靠近閘極端之通道摻入鎂以填補IGZO之氧空缺，借此提升元件電性表現。此研究著重於探討鎂參雜濃度之於元件特性的影響，而實驗結果顯示適當摻雜濃度不僅能夠改善次臨界擺幅並能

提升場效遷移率，而過量則會使元件特性開始劣化。元件中採用雙層通道之薄膜電晶體並且調控適當鎂摻雜濃度，在不額外增加製程步驟及成本下即可有效提升元件之特性。

鎳-鎵及銅基觸媒生產甲醇與二甲醚之製備、特性鑑定及CO2轉化效率之研究

為了解決sk letter logo的問題，作者江昭龍 這樣論述：

本研究使用共沉澱法(co-precipitation)，合成鎳-鎵(Ni5Ga3)及銅基(CuO-ZnO-Al2O3，CZA)系列觸媒。並以超音波在觸媒之漿體狀態下使觸媒均勻分散於載體，包含矽膠(silica gel, SiO2)、質子化之Y型沸石(protonated Y-type zeolite, HYZ)與Beta型沸石(protonated Beta-type zeolite, HBZ)之中，製備得分散於載體之鎳-鎵及銅基觸媒 (Ni5Ga3/SiO2、CZA/HYZ及CZA/HBZ)。觸媒之晶體結構及外觀分別以XRD及FE-SEM進行鑑定及觀測，確認鎳-鎵觸媒為Ni5Ga3，銅基觸

媒則具有CuO-ZnO-Al2O3之結構。FE-SEM顯示載體可維持觸媒顆粒大小分佈均勻。XPS化學成分分析結果顯示鎳-鎵及銅基系列觸媒之有效成分，分別是鎵與銅化物。鎳-鎵與銅基觸媒之金屬氧化態及其與鄰近原子間之鍵長，則分別由XANES/EXAFS進行分析。結果顯示鎳-鎵觸媒中之鎵分散及反應前為Ga(0)，分散與反應後則為Ga(III)；而鎳則保持為Ni(0)。銅基觸媒中之銅及鋅氧化態則皆為Cu(II)與Zn(II)。鎳-鎵及銅基觸媒之中心金屬(Ni5Ga3: Ni及Ga；CZA: Cu及Zn)與鄰近原子之配位數與鍵長，則隨著反應前後呈現反比關係。此些現象皆可證實鎳-鎵及銅基觸媒經由將其分散於

載體之中，於MeOH/DME生成過程中，可保持觸媒本身結構、外觀、化學成分與微結構等。此外，在使用鎳-鎵及銅基系列觸媒於雙通道觸媒反應器中，於定壓變溫下(P= 50 bar，T=150、250與350 oC)，進行MeOH/DME生產反應時所產生之物種及其濃度，則以FTIR及GC進行分析鑑定，藉此獲得進料(MeOH：CO2與H2；DME：MeOH)之轉化率，以及MeOH/DME之反應選擇率與產率。FTIR及GC分析結果顯示鎳-鎵及銅基觸媒分散於載體後，其觸媒表現皆有明顯提升。Ni5Ga3/SiO2於150、250及350oC之最終MeOH產率最高可達62.1、84.7及82.5%。負載前CZA

之DME產率為60.2%，負載於HYZ後可達71.5% (CZA/HYZ)，但負載於HBZ則降為31.8% (CZA/HBZ)。動力學分析結果指出，Ni5Ga3/SiO2於150、250及350oC下進行MeOH生成反應，其反應平衡常數最高可達0.150、0.473及0.477 h-1。遠大於理論值4.67×10-4、2.22×10-5及2.47×10-6 h-1。Ni5Ga3和Ni5Ga3/SiO2進行MeOH之活化能，則分別為3.21及2.72 kJ/mol。負載前CZA之最高反應平衡常數為1.65×103 L/mol-h，負載於HYZ後，則可達2.26×103 L/mol-h (CZA/

HYZ)。負載於HBZ，則降為0.70×103 L/mol-h (CZA/HBZ)。使用CZA、CZA/HBZ及CZA/HYZ進行DME生成反應之活化能，則分別為2.04、2.26及1.16 kJ/mol。熱力學分析可得生成MeOH較佳之Ni5Ga3/SiO2於150、250及350oC進行MeOH生成反應時，其吉布士能(Gibbs energy)為6.67、3.26及3.83 kJ/mol，遠小於理論值26.97、46.59及66.87 kJ/mol。CZA/HYZ觸媒進行DME生成時，其吉布士能則分別為-40.07、-40.00及-40.67 kJ/mol，較理論值-12.64、-9.96

及-7.28 kJ/mol為低。最後以10-TPD (ton per day)煉油廠尾氣再利用設備，進行成本估算，可得日收益USD$5,002,359/d，可於3.49年內回本。