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使用雙向可變增益放大器實現Ka頻段主動式雙向向量合成相移器

為了解決vga切換器的問題，作者陳亮誠 這樣論述：

本論文提出一操作於Ka頻帶之雙向向量合成式相移器(bi-directional vector sum phase shifter, BDVSPS)，可用於相位陣列的架構來實現收發端的射頻電路。本論文可以分成主動和被動部分，為了實現雙向架構，其中四相位產生器是由90度耦合器和0-π相位切換器來實現的，而且被動的四相位產生器本身亦可實現雙向功能。為了補償被動元件的損耗和精準地控制相位，本文採用兩個雙向可變增益放大器來實現，分別調整雙向放大器的偏壓來控制增益，再由功率合成器合成相位。反向操作時，訊號由功率整合器端進入，經由雙向可變增益放大器的反向路徑放大後，再用90°耦合器輸出，以此實現雙向向量合

式相移器。本文採用台積電0.18 μm CMOS製程實現，可達到等效4位元解析度，而量測結果均方根增益誤差為0.4 dB，RMS相位誤差小於0.4°，平均增益為-7.6 dB，直流功耗最大為20 mW。關鍵字：相移器、向量合成式相移器、Ka頻帶、雙向可變增益放大器。

毫米波低相位變異可變増益放大器與低雜訊放大器之研製

為了解決vga切換器的問題，作者盧德任 這樣論述：

隨著通訊技術和晶片研製技術的演進，毫米波頻帶快速的發展。這是由於毫米波頻帶在無線傳輸應用上擁有較大的頻寬且高速傳輸。在本論文中，兩種不同用途的放大器，分別為低雜訊放大器以及可變增益放大器，兩者均利用金氧半場效電晶體(CMOS)製程實現，前者應用於W頻段，而後者應用於V頻段。 第一部分設計並實現W頻段的低雜訊放大器且此放大器是使用65 nm CMOS製程製作。在接收端中低雜訊放大器為一個重要的元件。此電路採用四級疊接的架構達到高增益和寬頻的效果。此低雜訊放大器在117.5 GHz有25.3 dB的最高增益和在75.5-120.5 GHz頻帶中，此放大器有大於20 dB。此電路在87-10

0 GHz範圍內有6-8.3 dB的量測雜訊指數，-3 dBm的1-dB壓縮點的輸出功率(OP1dB)，以及0.5 dBm的飽和輸出功率。此低雜訊放大器在2-V的電源供應下靜態電流為24 mA。 第二部分設計並實現60 GHz頻段的可變增益放大器，此電路可以用於接收器前端的相位陣列系統。此放大器是使用65 nm CMOS的製程製作，採用兩級的電流控制架構(current steering)達到控制增益的效果。共振技巧除了可用來消除寄生電容外，還可以在可變增益放大器在增益變化時，降低相位變化。除此之外，這個方法同時可以降低可變增益放大器的雜訊指數。此電路在54-62 GHz的1-dB頻寬下，有

18 dB的最高增益。另外，此電路有4.4 dB的最低雜訊指數。當增益從15.5 dB至0.5 dB變化時，輸出信號的相位變化在6.2°以內。在1.8-V的電源供應下，全部的DC功耗為18 mW。低相位變異的可變增益放大器用於相位陣列系統時，可降低操作的複雜度；若應用於向量疊加調變器則可增加調變信號的品質。