清大動機乙組的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列地圖、推薦、景點和餐廳等資訊懶人包

應用於12GHz頻段之單晶氮化鎵高功率放大器設計

為了解決清大動機乙組的問題，作者傅文灶 這樣論述：

本論文針對12 GHz頻段之射頻前端高功率放大器進行研究。論文中使用穩懋半導體的0.25 um GaN製程技術。 選用GaN製程電晶體，在製程特性上擁有比一般矽製程半導體高的輸出功率，並且擁有較佳的功率增進效率，但缺點是價格昂貴，且在大功率作用下，散熱問題很重要，散熱問題沒處理好，很容易造成過熱，導致電晶體燒毀或實際操作結果和模擬相差甚遠。在設計上也因為高頻以及高功率設計上有更多考量。 電路設計受限製程廠提供的源極接地電路模型，此論文採取了兩級共源極的放大方式。第一級為驅動級，負責提供第二級電路所需的輸入功率，第二級為功率級，提供一個良好的輸出功率。 量測時，需要考慮許多問題，本文

設計的功率放大的輸出功率很大，進行大功率量測時，散熱變成重要的問題，散熱設計主要會利用風扇和金屬銅塊來進行散熱；量測時所造成的損耗，如接頭、印刷電路板連接傳輸線等，會利用校正法將這些額外損耗去除掉，以得到功率放大器真確的特性。

X-band 功率放大器

為了解決清大動機乙組的問題，作者何柏諺 這樣論述：

率放大器是射頻主動電路中重要的元件之一，位於發射機最後一級並接至天線，其功用為放大傳輸訊號，更是整個射頻發射機中最耗能的元件。然而，隨著三五族半導體技術不斷進步，使電晶體具有高效率、高速度與高線性度等特性，是未來通訊技術具有高度開發潛力。本論文使用穩懋氮化鎵(GaN HEMT)製程實現應用於X-Band 功率放大器之設計本論文設計兩種操作在X-Band功率放大器其1-dB功率分別為4W功率放大器與9W功率放大器，主要採取匯流排線(Bus-bar)以及傳輸線元件完成功率合成與阻抗匹配。