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cis製程的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦林明獻 寫的 太陽電池技術入門(第五版) 和林明獻的 太陽電池技術入門(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站cis製程也說明：CMOS影像感測器(CIS)的製程與DRAM有些相似，都是金屬層較少、對電荷敏感的陣列結構。陣列中畫素越多，圖像的解析度越高。 以CIS產業來說，存在兩種商業模式生產晶片， ...
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立交通大學 電子研究所 吳重雨、柯明道所指導 劉宣弘的 應用於下視網膜植入具閉迴路電荷泵升壓電路與雙向共用電極180奈米互補式金氧半自動適應光源256像素感測及雙向電流刺激晶片之設計 （2020），提出cis製程關鍵因素是什麼，來自於下視網膜植入、自動適應光源像素。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 吳重雨所指導 曾繼寬的 光伏供電下視網膜晶片電極架構與影像動態範圍之改進設計及其植入應用 （2020），提出因為有 視網膜、電極架構、高影像動態範圍、光伏供電的重點而找出了 cis製程的解答。
最後網站代工技術- CMOS 影像感測器 - 力積電則補充：目前以110nm製程為客戶生產高解析度CIS晶片，並自行開發CIS後段彩色濾光膜（color filter）與微鏡頭（micro lens）製程，以提供客戶更全面的CIS晶片代工服務。
太陽電池技術入門(第五版)
為了解決cis製程 的問題，作者林明獻 這樣論述：
近年來，環保意識抬頭，全球皆積極研發使用潔淨的再生能源，以減輕傳統發電方式所產生之污染問題。使得太陽能產業得以被重視，也成為未來能源的趨勢。 本書作者以多年的經驗由淺入深的對於太陽能電池做詳細的解說，對於太陽光電產業與歷史演進及基本理論做簡單的介紹，使讀者有整體的概念，並分別針對多晶矽原料、單晶矽晶片和多晶矽晶片等原料之製造技術做介紹。對於所有矽基太陽電池的製造技術做說明，包含結晶矽太陽電池、薄膜型結晶矽太陽電池和非晶矽太陽電池等。本書對目前轉換效率最高並用在太空領域的太陽電池III-V族化合物太陽電池之製造技術 、 CdTe化合物太陽電池製造技術、CIS和CIG
S太陽電池製造技術、染料敏化太陽電池之製造技術，這些不同的太陽電池介紹其各有的特色。最後將太陽光電系統與應用做簡單的說明，使讀者可以融會貫通並應用於生活上。本書適用於從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所或是有興趣的人士閱讀。 本書特色 1.本書為一本介紹各種太陽電池之製造方法、原料製作及產品應用之入門參考書籍。 2.本書輔以生動的彩色插圖，可以幫助讀者對太陽電池製程與理論之理解與吸收程度。 3.本書不僅為從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所必備之參考書籍，且非常適合非理工背景之一般讀者之研讀。
應用於下視網膜植入具閉迴路電荷泵升壓電路與雙向共用電極180奈米互補式金氧半自動適應光源256像素感測及雙向電流刺激晶片之設計
為了解決cis製程 的問題，作者劉宣弘 這樣論述：
本論文提出及分析應用於下視網膜植入具自動適應光源像素電路提升影像光動態範圍之互補式金氧半太陽能供電256像素晶片，晶片以台積電0.18微米互補式金氧半影像感測器(CIS)製程設計並製作。在此晶片中，重要創新有自動適應光源之像素電路、雙向共用電極(BDSEs)配合最佳化刺激安排使串擾電荷最低、使用脈波省略調變與脈波頻率調變之閉迴路電荷泵、改良式定電流刺激器和恆定電流產生器。在自動適應光源像素電路中，可模仿人眼對影像光反應之Michaelis-Menten方程式(MME)特性，並產生MME電流。而後主動像素感測器(APS)可將MME電流轉換為電壓，進而產生刺激電流。根據上述操作，環境中的背景光可
被消去，而增加晶片之影像光動態範圍。此晶片採用雙向共用電極和分區供電，以增加電極面積與刺激電荷，並降低功耗，最佳化刺激安排可降低因串擾所造成的漏電荷，最大總漏電荷可降至1.07nC，可降低誤刺激的可能性。電荷泵中加入脈波省略調變與脈波頻率調變，組成閉迴路電荷泵，可得到較穩定之刺激電壓。改良式定電流刺激器可避免在動態回復階段時誤開啟之電晶體所產生的漏電路徑，也減少了刺激器會產生的暫態峰值電流，因此可降低細胞受損之風險。另外，改良式定電流刺激器使用N型金氧半電晶體作為電流源，可降低因電荷泵產生之暫態漣波對刺激器的影響。所設計的恆定電流產生器，可以產生不受製程飄移影響之偏壓電流給環式震盪器，以降低晶
片與晶片之間的頻率飄移。所研製之晶片其面積為3.2 x 3.2平方毫米。閉迴路電荷泵之輸出電壓經量測確認在輕載時刺激電壓並不會超過水窗限制。量測晶片之最小感測光強為39Lux而最大為21267lux，量測之動態範圍提升至54.7dB。量測之最大刺激電流為7.09uA，最大刺激電荷為8.89nC。透過模擬與量測均已驗證刺激電流與輸入光強可產生類MME之轉移函數。晶片與晶片間之頻率飄移，經過量測可知在23.5Hz到28.6Hz之間。與上一版晶片[21]相比，動態範圍增加為1.79倍，暫態峰值電流可降低至接近0uA，刺激頻率變化為23.5Hz～28.6Hz(-94%～114%)，其飄移遠低於[19]
-[21]的值。所研製晶片已進行rd1小鼠之視網膜體外膜片鉗技術實驗，驗證該下視網膜晶片之功能。晶片之電流刺激可成功誘發rd1小鼠之視網膜神經節細胞，並且成功驗證背景光消除之功能。透過電性量測與體外實驗，已成功驗證所設計具自動適應光源像素電路提升寬動態範圍之下視網膜晶片的功能。結果印證本論文提出之下視網膜晶片適用於視網膜植入。
太陽電池技術入門(第四版)
為了解決cis製程 的問題，作者林明獻 這樣論述：
近年來，環保意識抬頭，全球皆積極研發使用潔淨的再生能源，以減輕傳統發電方式所產生之污染問題。使得太陽能產業得以被重視，也成為未來能源的趨勢。 本書作者以多年的經驗由淺入深的對於太陽能電池做詳細的解說，對於太陽光電產業與歷史演進及基本理論做簡單的介紹，使讀者有整體的概念，並分別針對多晶矽原料、單晶矽晶片和多晶矽晶片等原料之製造技術做介紹。對於所有矽基太陽電池的製造技術做說明，包含結晶矽太陽電池、薄膜型結晶矽太陽電池和非晶矽太陽電池等。本書對目前轉換效率最高並用在太空領域的太陽電池III-V族化合物太陽電池之製造技術、CdTe化合物太陽電池製造技術、CIS和CIG
S太陽電池製造技術、染料敏化太陽電池之製造技術，這些不同的太陽電池介紹其各有的特色。最後將太陽光電系統與應用做簡單的說明，使讀者可以融會貫通並應用於生活上。本書適用於從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所或是有興趣的人士閱讀。 本書特色 1.本書為一本介紹各種太陽電池之製造方法、原料製作及產品應用之入門參考書籍。 2.本書輔以生動的彩色插圖，可以幫助讀者對太陽電池製程與理論之理解與吸收程度。 3.本書不僅為從事太陽電池產業之工程人員及學術研究者所必備之參考書籍，且非常適合非理工背景之一般讀者之研讀。
光伏供電下視網膜晶片電極架構與影像動態範圍之改進設計及其植入應用
為了解決cis製程 的問題，作者曾繼寬 這樣論述：
本篇論文提出應用於下視網膜植入晶片系統，晶片採用台積電0.18um互補式金氧半CIS製程工藝，並在產出後在晶片之刺激電極濺鍍上了二氧化銥(IrOx)。在本篇論文提出的新設計中，電壓箝制電路被加在四倍電荷泵升壓電路的輸出，用來防止電刺激的過壓，並同時起到穩定刺激電流和刺激頻率的效果。基於晶片采用分區供電方式，在CHIP II和CHIP III的設計中我們提出了電極共用的架構，此架構通過共用相臨像素的電極，達到增加電極面積和降低電極阻抗的效果；同時設計了主動式背景光消除電路，用感測環境中的光強度，將其從感光像素感測到的影像中扣除，防止感光像素飽和，進而提昇感光範圍。經量測，在100mW/cm2
的IR照射下CHIP I可以穩定輸出26Hz的電刺激，感光範圍為150~740Lux，並可在740Lux的光訊號下輸出8.05nC的最大刺激電荷。在94mW/cm2 的IR照射下CHIP II可以穩定輸出30.4Hz的電刺激，在主動式背景光消除電路的運作下感光範圍為416~7346Lux，並可輸出9.8nC的最大刺激電荷。在74mW/cm2 的IR照射下CHIP III可以穩定輸出17.8Hz的電刺激，在主動式背景光消除電路的運作下感光範圍為290~9393Lux，並可輸出13.3nC的最大刺激電荷。在生物體外實驗中，新一版的晶片也可成功刺激野生小鼠和視網膜退化之小鼠( rd1 )之視網膜神經
節細胞(RGCs)並利用膜片箝制(Patch Clamp)技術記錄小鼠的電生理訊號。