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氟化雙層石墨烯作為蝕刻掩模圖案化二硫化鉬

為了解決o2 plasma原理的問題，作者郭星佑 這樣論述：

目前普遍使用微影技術來對材料圖案化，不論是黃光微影或是電子束微影，都是利用光阻產生的化學變化，做為蝕刻掩模進行圖案化。而使用光阻做為蝕刻的掩模，其圖形容易發生底切(undercut)或是膨脹的狀況，造成圖形失真及解析度不佳。 本文利用四氟化碳電漿選擇性蝕刻石墨烯的特性的特性，石墨烯在經過氟化後會有所變化，當石墨烯暴露於低密度輝光放電四氟化碳電漿時，單層石墨烯及其下方的材料會被四氟化碳電漿蝕刻，而雙層石墨烯的區域卻可完整保留，且可以抵擋長時間的電漿作用。本文將石墨烯轉印至CVD生長的MoS2上，利用氟化雙層石墨烯做為抵抗乾蝕刻之蝕刻光罩，進行乾式蝕刻圖案化MoS2，原子級厚度的石墨烯與M

oS2層與層以凡德瓦爾力鍵結，單層石墨烯下面的MoS2與雙層石墨烯的過度區域會發生橫向蝕刻的情況，因為只有范德瓦爾力相互作用，所以橫向蝕刻的邊界可能是原子級的精確度。本文同樣使用單石墨稀的Ribbon做為蝕刻掩模，成功製作出寬度約200 nm的MoS2 ribbon，我們的結果開闢了一種高解析度圖案化二維材料的新途徑。

以直流磁控及高功率脈衝磁控濺鍍之TiO2光觸媒薄膜的特性分析比較

為了解決o2 plasma原理的問題，作者楊偉仁 這樣論述：

本研究以TiO2半導體材料為靶材，分別使用直流(direct current, DC)磁控濺鍍及高功率脈衝磁控濺鍍(high-power impulse magnetron sputtering, HiPIMS)沉積TiO2光觸媒薄膜，於無鹼玻璃(non-alkali glass)及可撓性塑膠(Polyethylene terephthalate, PET)基材。以田口實驗設計(Taguchi methods)，L9直交表(Orthogonal arrays)配合變異數分析，探討TiO2光觸媒沉積參數(直流功率、濺鍍壓力、基板溫度、沉積時間)對薄膜的沉積速率、亞甲基藍(Methyle

ne Blue, MB)降解程度、水滴接觸角(親水性)、抗菌效果等特性。使用AFM、SEM、及XRD探討TiO2薄膜的表面型態、微結構及結晶性質。 為防止氧化物靶材(oxide targets) 於濺鍍時產生靶中毒，因此皆以射頻為薄膜沉積的電源。但是氧化物靶材只要有合理的導電性，就可以使用DC磁控濺鍍，TiO2陶瓷靶為半導體材料(導電率約0.3 Ω cm)，對於DC電源有足夠的導電性，不會產生靶中毒現象。TiO2陶瓷靶使用DC磁控濺鍍，優點為沉積層容易控制，可有效提昇薄膜沉積速率，且薄膜有良好的附着性及均勻性。此外TiO2光觸媒薄膜需在高溫或高能量製程，才可獲得銳鈦礦(anatase)與

金紅石(rutile)結構。因此，若將TiO2光觸媒薄膜，以直流(DC)磁控濺鍍沉積於PET塑膠基板，因塑膠無法耐高溫，TiO2薄膜無法獲得足夠能量成長，所以其光催化效果不顯著。本研究使用高功率脈衝磁控濺鍍(HiPIMS)，屬於低溫電漿製程，基板不需加熱，就能使薄膜獲得足夠能量。高功率脈衝磁控濺鍍(HiPIMS)藉由調整脈衝中斷時間，將能量累積於電容，瞬間釋放出來，使靶材原子獲得更強大的能量濺射到基板，增加薄膜的緻密性、附著力與晶體結構，解決傳統磁控濺鍍於耐熱性低的基材，不易製作TiO2光觸媒薄膜的問題，研究顯示使用HiPIMS可以有效提昇TiO2光觸媒薄膜沉積於PET塑膠的光催化效果。