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超低漏電AOI及OAI次臨界電壓唯讀記憶體設計

為了解決retention time定義的問題，作者薛承昕 這樣論述：

現今穿戴式裝置及物聯網應用設計，皆傾向於先進製程，以利在相同的面積下，能夠擁有更多的應用並具大容量之儲存能力。唯讀記憶體因具有非揮發性、高可靠度、低面積、高製程整合性等特性已廣泛應用於SOC中以儲存大量資料或指令編碼使用。為了能夠利用先進製程環境，設計唯讀記憶體於次臨界電壓下，並且具有超低漏電流之特性，本論文分別對於AOI-型及OAI-型唯讀記憶體進行設計。其中，對AOI-type ROM提出動態分裂源極線結合動態區段保護選擇器來降低漏電流及串音干擾所導致讀取錯誤，並利用新設計要領評估最佳記憶陣列組態，可移除反向編碼旗標表，不僅減少周邊電路面積及功率消耗代價，同時可增加主位元線上讀取電流，加

速AOI-type ROM讀取速度；另外，為了降低OAI-type ROM之漏電流造成讀取錯誤及串音干擾，記憶陣列設計採用改良式動態區段保護選擇器架構，縮小漏電流與減少漏電路徑提升On/Off 電流比例，同時，針對PVT變異所造成的不同漏電影響，利用自適應補償器補償漏電並增加讀取感測邊際。低電壓下感測放大器設計，將面臨到感測邊際過小及受到變異影響之電壓擺幅狀況，對此提出雙端讀取感測放大器設計，其利用隨變異調整參考電壓產生器之增加讀取感測邊際並加快讀取速度。 最終以TN40G製程完成一256Kb容量大小並經模擬、佈局驗證等步驟確認功能正確無誤，達到超低漏電、完整編碼之次臨界電壓唯讀記憶體設

計。

社群使用者黏著度遷徙路徑分析─以Facebook為例

為了解決retention time定義的問題，作者陸紀亨 這樣論述：

網路時代來臨，造就了許多社群媒體的興起，提供網路使用者之間對話互動，透過互動來產生內容，社群媒體的出現大大地改變現代人的生活型態和消費者行為，社群媒體上出現的網路口碑訊息則成為了重要的購買決策參考來源，因此越來越多的企業透過此管道來與消費者進行溝通，推廣品牌及拓展商務。 對於社群媒體經營而言， 如何留住社群用戶才能吸引更多企業投入廣告，提高黏著度(Stickiness)便是首要課題；第二，為了解社群用戶，針對特定目標客群進行溝通，讓廣告投放更加精準，協助企業配適最佳的廣告，使得廣告的投放能夠獲得最大的效益。 本研究利用ComScore資料庫2012年Facebook瀏覽紀錄，以

消費者網路造訪行為－網站停留時間(Duration Times at Site)以及造訪次數(Visit Time)定義出使用者黏著度，再以馬可夫鏈模型為基礎對此進行路徑遷徙分析，描繪其動態性。以層級貝氏Probit估計出個人的移轉機率矩陣，嘗試捕捉不同使用者的異質性。根據保留樣本進行擊中率比較，確立模型效度。並建立六條具有行銷意義的遷徙路徑，分析不同路徑的使用者特性，最後再以馬可夫鍊之狀態機率極限預測最終落點。本研究之結果首次成功地提供一個預測模式可以精確地估計使用者未來黏著狀態，並以此結果研擬出行銷策略。