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另外網站ALD,原子層沉積技術及應用 - 大永真空設備也說明：原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最早稱為原子層磊晶(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，ALD也是一種化學氣相沉積技術(CVD)，與傳統CVD的差異在於：ALD是將一個 ...

國立臺北科技大學 材料科學與工程研究所 王錫九、陳適範所指導 楊政達的 氮氣流量對非晶氮化鉭應用於擴散阻絕層與擴散係數之影響研究 （2015），提出cvd pvd原理關鍵因素是什麼，來自於濺鍍、薄膜、I-V curve、C-V curve、TaN、擴散係數、非晶、擴散阻絕層。

而第二篇論文明志科技大學 化工與材料工程研究所 謝章興所指導 黃仲慰的 摻雜Ag之SiOx薄膜的光學性質 （2008），提出因為有 SiOx、複合薄膜、抗反射薄膜、濺鍍、吸收的重點而找出了 cvd pvd原理的解答。

最後網站cvd 製程則補充：傳統上，半導體廠是以物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）或化學氣相 ... CVD製程發生在大氣壓力常壓下APCVD 製程用在沉積二氧化矽和氮化矽APCVD臭氧—四乙 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了cvd pvd原理，大家也想知道這些：

氮氣流量對非晶氮化鉭應用於擴散阻絕層與擴散係數之影響研究

為了解決cvd pvd原理的問題，作者楊政達 這樣論述：

本研究使用反應式射頻磁控(RF)濺鍍，來製備非晶氮化鉭(TaNx)薄膜，並選用(4N)鉭靶材，在固定氬氣(Ar)流量的氣氛下，通入不同流量比例的氮氣(N2)，探討不同氮氣流量的非晶氮化鉭(TaNx)薄膜材料特性，以應用於銅-矽晶基材間之擴散阻障層。利用X光繞射分析(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、波長散佈光譜儀(WDS)、四點探針(FPP)、快速退火爐(RTA)、原子力顯微鏡(AFM)、及-step膜厚量測，觀察不同流量的氮氣對非晶氮化鉭(TaN)金屬薄膜之結構、電阻率、退火溫度極限、原子百分比、表面粗糙度及沉積速率的影響。結果利用熱退火處理，發現氬氣(Ar)流量為35 scmm，氮

氣(N2)流量為3.5 sccm，氬氣/氮氣比為10%，在固定退火時間30 min，在700°C 時，依然沒有產生銅-矽化合物的現象，為較佳參數，原子比例為TaN0.7，表面粗糙度為0.250 nm。接著測定此參數不同熱處理溫度的C-V curve，依照擴散活化能與擴散厚度與擴散係數(D)的關係式，找出最原始的擴散常數Do=1.3x10-5[cm2/s]。

摻雜Ag之SiOx薄膜的光學性質

為了解決cvd pvd原理的問題，作者黃仲慰 這樣論述：

本研究的目的為利用SiOx奈米複合薄膜加入銀層或嵌入銀顆粒，使薄膜得到最小的反射、最大的吸收值。實驗中使用Si 和Ag反應式磁控濺鍍法，來製備SiOx/Ag疊層奈米複合薄膜與SiOx-Ag混鍍複合薄，利用快速退火爐(Rapid Thermal Annealing)於不同的退火溫度以及不同持溫時間(5min.,10min., 15min., and 20min.)，為了得奈米複合薄膜的微結構、光學性質，在實驗中利用X光繞射(X-Ray Diffraction, XRD)、紫外光-可見光-紅外光光譜儀(UV-Visible-IR)、與場發射掃瞄式電子顯微鏡(Field-emission Scan

ning Electron Microscope，FE-SEM)儀器、原子力顯微鏡(AFM)，來進行檢測分析。加入銀層薄膜會使得在波長400 nm到4000 nm間的吸收上升，主要原因有電漿子共振吸收、銀顆粒的異常吸收現象、光陷阱…等。實驗結果發現影響光吸收效應主要因數為銀的層數、退火處理，且在實驗測量範圍中最高可做到約90%的高吸收，並利用吸收理論計算模型來解釋對光的高吸收。SiOx-Ag混鍍奈米複合薄膜雖然沒有文中提出的疊層吸收機制，但也能做出相似的吸收膜。

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