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這兩本書分別來自世茂 和全華圖書所出版 。
中原大學 電子工程研究所 温武義所指導 江秉祐的 樟腦源基CVD石墨烯/p-Si異質接面之寬頻光偵測應用 （2020），提出cvd原理關鍵因素是什麼，來自於雙層石墨烯、單晶銅基板(100)、樟腦、化學氣向沉積、光感測器。
而第二篇論文義守大學 材料科學與工程學系 陳厚光所指導 葉同倫的 利用超音波輔助霧化化學氣相沉積法進行功能性氧化物磊晶薄膜成長之研究 （2020），提出因為有 氧化鈷、氧化鋅鈷、霧化化學氣相沉積、磊晶的重點而找出了 cvd原理的解答。
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看圖讀懂半導體製造裝置
為了解決cvd原理 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂 得半導體得天下？ 要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體
所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
樟腦源基CVD石墨烯/p-Si異質接面之寬頻光偵測應用
為了解決cvd原理 的問題，作者江秉祐 這樣論述：
使用樟腦源基化學氣相沉積(camphor-based CVD)在單晶銅(100)基底上製備雙層石墨烯薄膜 (BLG)，然後將石墨烯轉移到p-type Si 基底上以製造異質接面光電偵測器。透過石墨烯與p-Si的結合，可以形成超淺接面以利紫外線吸收;而石墨烯層本身的零能隙將有利於紅外線的吸收。 根據拉曼光譜與大面積拉曼影像(Raman mapping)(16×16 μm2)分析的結果，利用樟腦合成之石墨烯顯示出低缺陷與高覆蓋率(>95%) 的雙層結構。透過室溫霍爾量測得知其載子遷移率為1.8 ×103 cm2/V-s。 石墨烯與p-Si 所形成的肖特基接面，樟腦基石墨烯/p-Si光偵測器在
偏壓 ± 2 V條件下整流比約110。在零偏壓下，樟腦源基石墨烯/p-Si光偵測器從紫外光到長波長近紅外光(LWNIR)都具有良好的性能。在白光照明下，0 V 下的光電流與暗電流比 (PDCR) 值高達 230，其偵測率 (detectivity (D*)) 在 560 nm 處為 8 × 1012 cmHz1/2/W。此外，其響應/衰減時間（亦即，操作速度）約為 118/120 μs。實驗結果分析得知，利用友善環境的樟腦來製備石墨烯/p-Si異質接面，可望被用於下一世代的寬頻光感測應用。
半導體製程概論(第四版)
為了解決cvd原理 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
利用超音波輔助霧化化學氣相沉積法進行功能性氧化物磊晶薄膜成長之研究
為了解決cvd原理 的問題，作者葉同倫 這樣論述：
為了發展全氧化物電子元件，其中p-n接面是電子技術中許多元件的基礎，由於本實驗室已經成功生長n型ZnO磊晶薄膜，為了挑選與ZnO結構上匹配的材料，因此選用尖晶石結構之p型氧化物半導體Co3O4與ZnCo2O4。 霧化化學氣相沉積法(Mist-CVD)為設備簡單、常壓製程、低成本、低環境負擔需求之製程，有別於有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)所採用的易燃、易揮發、昂貴、高毒性的有機金屬前驅物。因此本研究採用Mist-CVD製程，且目前尚未有人發表利用Mist-CVD生長鈷系氧化物磊晶薄膜相關研究。 本論文分成兩部分，第一部分為生長CoO及Co3O4薄膜。探討腔體溫度、攜帶氣體、載台
及基板對磊晶薄膜成長的影響。結果顯示，腔體溫度在450°C、氮氣作為攜帶氣體，將有利於單相CoO成長，此外同時將試片水平放置在玻璃基板上，將可以成長均勻且平坦CoO磊晶薄膜；腔體溫度為500°C，並採用氧氣作為攜帶氣體，將有利於單相Co3O4磊晶薄膜成長，此外需要同時採用試片傾斜45˚擺放之三角石英載台，為Co3O4薄膜較佳生長條件。XRD φ-scan分析實驗結果顯示CoO及Co3O4可以分別在a-及c-plane藍寶石與雲母基板上呈現六重對稱繞射特徵，顯示可以成功透過常壓超音波霧化化學氣相沉積製程在各種基板上進行CoO及Co3O4磊晶薄膜成長。接著透過退火比較前後電學性質差異，結果顯示，C
oO在氧氣氛中650 oC退火，將會轉變成Co3O4相。退火過後試片其電阻率: 1.42×101 Ω-cm、載子濃度:4.37×1016 cm-3並呈現p型半導體電性。 第二部分為生長ZnCo2O4磊晶薄膜。同樣嘗試在不同基板上生長，透過XRD φ-scan分析，在a-plane藍寶石基板上ZnCo2O4出現晶體旋轉30o晶域結構，而在c-plane藍寶石基板、雲母基板則是呈現單一磊晶方位取向。為了改善在a-plane藍寶石基板上成長ZnCo2O4磊晶膜層中30°旋轉晶域，將嘗試利用與ZnCo2O4結構相同之Co3O4及ZnAl2O4作為緩衝層來進行單一磊晶方位取向ZnCo2O4薄膜成長
。結果顯示採用Co3O4及ZnAl2O4緩衝層皆為可以成功在a-plane藍寶石基板上成長單一晶域之ZnCo2O4薄膜。接著再探討退火處理對ZnCo2O4薄膜電學性質影響，結果顯示，退火後電阻率為6.01×101 Ω-cm、載子濃度為6.43×1015 cm-3，為p型ZnCo2O4薄膜最佳電學性質。