cvd製程的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列地圖、推薦、景點和餐廳等資訊懶人包

半導體製程技術導論(第三版)

為了解決cvd製程的問題，作者蕭宏 這樣論述：

　　本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 本書特色 　　1.本書延續上一版，極完整的章節架構，並更新了各相關新技術。 　　2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完

整的瞭解。 　　3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。

薄膜

為了解決cvd製程的問題，作者TatsuoAsamaki 這樣論述：

接近原子的超細微．超高密度世界 　　液晶螢幕、數位相機、微電腦……運用電漿及離子所研發的各種新科技產品，薄膜幫助我們追求更便利的未來！ 　　一聽到薄膜，立刻就能反應的人應該屈指可數吧。薄膜雖然字如其意，是指很薄的膜，但也表示了以多層分子或原子大小厚度的膜相互堆疊，製作成電子回路裝置等的先進技術。無論是現在還是未來，都絕對是各國先進企業互相競爭的領域。 　　本書將從各種面相，介紹對科技發展擁有重要貢獻的薄膜技術，並從中挑出需特別注意的重點，是簡單易懂的圖解入門書籍。在真空中利用電漿蒸鍍製作新素材的薄膜技術，究竟能帶領我們看到什麼樣的世界呢？讓我們立刻開始介紹吧！ 本書特色 　　搭配彩色插圖進

行解說，讓理解更容易，學習更有趣！ 　　從製作方法到未來的發展，全方位介紹薄膜。 　　日本工學博士執筆，深入淺出解說專業知識。 作者簡介 麻蒔立男　Tatsuo Asamaki 　　1934 年生於日本愛知縣。1957年畢業於靜岡大學工學部電子工學科，隨即進入日本電氣有限公司任職，從1967年起轉職到日電□□□□ （ 即現在的C a n o n  A N E L V A  Corporation）。1990 年至2010 年擔任東京理科大學教授及客座教授。日本真空協會個人理事。工學博士。 　　著有『真空的世界（第2 版）』、『薄膜製成的基礎（第4版）』、『超微細加工基礎（第2版）』、『簡易電氣

磁氣學』、『徹底瞭解薄膜』、『徹底瞭解超微細加工』、『徹底瞭解薄膜』（日刊工業報社）等書。

以電漿化學氣相沉積法製備氮化矽薄膜之二維反應器模型設計與分析

為了解決cvd製程的問題，作者趙廷儒 這樣論述：

本研究為製備氮化矽薄膜之電漿化學氣相沉積之二維模型分析，為了解決鍍膜速率在晶圓邊緣處突然上升造成鍍膜均勻性下降的問題，建立了五種不同腔體條件的模型，再導入二維模擬，改變不同的操作參數，探討不同參數下能否改善整體鍍膜的均勻性。首先利用本實驗室先前學長所建立的模型及反應機制，發現鍍膜速率在晶圓邊緣處會有上升的情形，造成整體鍍膜均勻性下降，推測鍍膜均勻性受上電極以及進氣盤尺寸影響，所以重新繪製新的網格模型，針對上電極和進氣盤尺寸，將模型修改成五種不同的腔體構造，主要為上電極尺寸的改變，以及進氣盤和上電極相對位置的改變。接著將上述五種模型用CFD-ACE+進行二維的模擬，為了使模型在各種參數下能夠有

相同的趨勢，因此改變氮氣、SiH4以及操作壓力，再和原始的模型進行比對，探討氣相物種濃度的二維分布和鍍膜速率分布對膜均勻性的影響，並提出增加鍍膜均勻性的方法。發現同時縮短上電極和進氣盤的尺寸能夠使整體鍍膜的均勻性提高一點，但是鍍膜速率會略為下降；而只縮小進氣盤尺寸則會發現相比於同時縮小上電極及進氣盤尺寸時的鍍膜均勻性會更大幅提升，且鍍膜速率也並沒有下降太多，由於進氣盤尺寸較小，導致擴散至出口的距離較長，所以鍍膜粒子較不容易在轉角處累積，因此可以減少鍍膜速率飆升。