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pvd濺鍍的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦菊地正典寫的 看圖讀懂半導體製造裝置 和李曉干劉勐王奇的 半導體薄膜技術基礎都 可以從中找到所需的評價。
另外網站PVD濺鍍-威慶科技也說明：濺鍍是利用氬離子轟擊靶材，. 藉由動量轉換將靶材表面原子濺出靶材本體，. 變成氣相的原子再受到外加電場的影響進而沉積. 於基材上形成薄膜。 PVD濺鍍原理.
這兩本書分別來自世茂 和電子工業所出版 。
國立交通大學 生醫工程研究所 許鉦宗所指導 李銪融的 金屬鈀與氧化鈀修飾於矽奈米帶元件進行還原性氣體感測研究 （2020），提出pvd濺鍍關鍵因素是什麼，來自於氧化鈀、鈀金屬、氫氣、一氧化碳。
而第二篇論文國立虎尾科技大學 電子工程系碩士班 沈自所指導 温健喬的 (1-x)TiO2-xSrTiO3之塊狀及薄膜材料之微波的介電性質分析 （2019），提出因為有 二氧化鈦、鈦酸鍶、固態反應法、微波、共振腔擾動技術、柱狀共振技術的重點而找出了 pvd濺鍍的解答。
最後網站物理氣相沉積則補充：物理氣相沉積（英語：Physical vapor deposition，PVD）是一種工業製造上的工藝，是主要利用物理 ... 濺鍍 Sputtering PVD. 雙極濺射. 磁控濺射. 離子束濺射. 三極濺射 ...
看圖讀懂半導體製造裝置
為了解決pvd濺鍍 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂 得半導體得天下？ 要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體
所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
金屬鈀與氧化鈀修飾於矽奈米帶元件進行還原性氣體感測研究
為了解決pvd濺鍍 的問題，作者李銪融 這樣論述：
本研究使用濺鍍(Sputtering)的方式沉積鈀金屬(Palladium)在矽奈米帶元件上，經由控制濺鍍時間來沉積出不同的材料厚度與奈米顆粒大小，來量測低濃度的氫氣(100 ppm至5 ppm)。除此之外，為了去除元件上的碳汙染來使元件恢復初始的氫氣量測特性，還會對元件分別進行紫外光臭氧與氧電漿兩種方式清潔元件上的碳汙染，最後用氫電漿來還原清潔過程中被氧化的鈀金屬，最後再比較清潔處理前後的氫氣感測特性。本研究還將濺鍍的鈀金屬使用紫外光臭氧機氧化為氧化鈀，並進行低濃度的一氧化碳(CO)感測。多晶矽奈米帶元件結構n+/n-/n+在施加偏壓時具有焦耳自我加熱(Joule Self-Heating
)的特性，透過對元件施加偏壓來進行奈米帶的焦耳熱升溫，且主要的功率發熱都會集中在低摻雜區(n- region)。比較元件在不同溫度下對一氧化碳的響應特性，還有一氧化碳與氧化鈀的反應機制與氣體量測結果。最後比較不同的氧化鈀的厚度量測低濃度的一氧化碳極限，最終挑選出最佳的氧化鈀厚度與量測溫度。
半導體薄膜技術基礎
為了解決pvd濺鍍 的問題，作者李曉干劉勐王奇 這樣論述：
本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本 書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。 李曉幹，博士，畢業于英國里茲大學材料研究所，大連理工大學電子科學與技術系副教授。中國儀器儀錶協會感測器分會理事；全國氣、
濕敏專業委員會委員。主要研究方向為高性能半導體敏感材料，納米材料敏感電子學，感測器元件與檢測系統。 第1章緒論1 本章小結5 習題6 第2章矽單晶材料學7 2.1矽及其化合物的基本性質7 2.2矽的晶體結構13 2.3矽的生長加工方法16 2.4矽材料與器件的關係19 本章小結21 習題22 第3章薄膜基礎知識23 3.1薄膜的定義及應用23 3.2薄膜結構、缺陷及基本性質26 3.2.1薄膜的基本結構及缺陷26 3.2.2薄膜的基本性質29 3.3薄膜襯底材料的一般知識34 3.3.1玻璃襯底34 3.3.2陶瓷襯底35 3.3.3單晶體襯底36 3.3.4襯底清洗37
3.4薄膜的性能檢測簡介40 3.4.1薄膜的厚度檢測40 3.4.2薄膜的可靠性43 本章小結44 習題44 第4章氧化技術46 4.1二氧化矽（SiO2）薄膜簡介47 4.2氧化技術原理49 4.2.1熱氧化技術的基本原理50 4.2.2水汽氧化51 4.2.3濕氧氧化工藝原理52 4.2.4三種熱氧化工藝方法的優缺點53 4.3氧化工藝的一般過程54 4.4氧化膜品質評價58 4.4.1SiO2薄膜表面觀察法58 4.4.2SiO2薄膜厚度的測量58 4.5熱氧化過程中存在的一般問題分析61 4.5.1氧化層厚度不均勻61 4.5.2氧化層表面的斑點61 4.5.3氧化層的針孔62 4.
5.4SiO2氧化層中的鈉離子污染62 本章小結62 習題63 第5章濺射技術64 5.1離子濺射的基本原理64 5.1.1濺射現象64 5.1.2濺射產額及其影響因素65 5.1.3選擇濺射現象70 5.1.4濺射鍍膜工藝70 5.2濺射工藝設備72 5.2.1直流濺射台74 5.2.2射頻濺射台77 5.2.3磁控濺射79 5.3濺射工藝應用及工藝實例80 本章小結83 習題83 第6章真空蒸鍍技術84 6.1真空蒸鍍技術簡介84 6.2真空蒸鍍工藝的相關參數86 6.2.1工藝真空86 6.2.2飽和蒸氣壓88 6.2.3蒸發速率和沉積速率88 6.3真空蒸鍍源89 6.4真空蒸鍍設備9
0 6.4.1熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機）92 6.4.2電子束蒸發台94 本章小結96 習題97 第7章CVD技術98 7.1CVD技術簡介98 7.2常用CVD技術簡介99 7.3低壓化學氣相澱積（LPCVD）103 7.4PECVD107 7.5CVD系統的模型及基本理論115 7.6CVD工藝系統簡介117 7.6.1CVD的氣體源系統118 7.6.2CVD的品質流量控制系統118 7.6.3CVD反應腔室內的熱源119 本章小結119 習題119 第8章其他半導體薄膜加工技術簡介121 8.1外延技術121 8.1.1分子束外延121 8.1.2液相外延（LPE）123 8.1.3氣
相外延（VPE）124 8.1.4選擇外延（SEG）125 8.2離子束沉積和離子鍍126 8.3電鍍技術128 8.4化學鍍131 8.5旋塗技術131 8.6溶膠—凝膠法133 本章小結134 習題134 參考文獻134 矽積體電路無疑是這個時代所創造的奇跡之一，正是這種能將數以千萬計的元器件集成於一塊面積只有幾平方釐米的矽晶片上的能力，造就了今天的資訊時代。矽集成電路技術綜合應用了多種不同領域的科學技術成果。薄膜技術的應用就是人們開發新材料和新器件的研究結晶，通過不同的技術手段，在半導體材料上進行薄膜的生長、腐蝕，形成所需要的各種結構，實現設計器件的功能。半導體薄膜技
術已經成為矽積體電路製造工藝中不可或缺的重要一環。 半導體薄膜技術的發展幾乎涉及所有的前沿學科，而半導體薄膜技術的應用與推廣又滲透到各個學科及應用技術的領域中。為此，許多國家對半導體薄膜技術和薄膜材料的研究開發極為重視。從發展趨勢看，在科學發展日新月異的今天，大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應用，薄膜作為一種重要的材料，在材料領域中佔據著越來越重要的地位。 目前，人們已經設計和開發出了多種不同結構和不同功能的薄膜材料，這些材料在化學分離、化學感測器、人工細胞、人工臟器、水處理等許多領域中，具有重要的潛在應用價值，被認為是21世紀膜科學與技術領域的重要發展方向之一。 本書主要介紹矽
單晶材料學、薄膜基礎知識、氧化技術、蒸發技術、濺射技術（PVD）、化學氣相澱積（CVD）技術及其他一些半導體薄膜加工技術。積體電路晶片的製造過程實際上就是在襯底上多次反復進行薄膜的形成、光刻和摻雜等工藝加工過程的組合。 在半導體工藝中，首要任務是解決薄膜加工工藝問題。積體電路技術的發展，要求製備薄膜的品種不斷增加，對薄膜的性能要求日益提高，新的薄膜製備方法也不斷湧現並逐漸成熟。本書主要介紹積體電路加工工藝過程中常用的薄膜製備技術，在介紹薄膜製備技術之前，對積體電路的發展歷程和今後的發展趨勢進行介紹，對積體電路製造中常用的襯底材料——矽的製備也進行詳細介紹，然後討論薄膜物理學。 在介紹每
一種薄膜製備工藝的過程中，還對各個製備工藝的設備原理進行簡單介紹。通過本書的學習，讀者可以掌握基本的半導體薄膜製備技術，瞭解薄膜製備工藝的特點和應用場所，瞭解不同薄膜製備工藝所製備薄膜的特點及相關測試方法，並對相關製造設備有一定瞭解，同時，還對部分相關設備的生產廠商進行簡要介紹。 …… 我們希望本書不僅成為一本簡單的教材，還可以成為廣大工程技術人員的一本參考手冊。由於半導體薄膜的技術內容非常豐富，本書不可能包含所有的薄膜技術，所以本書是以半導體薄膜技術的基礎研究為目的，在此基礎上再去深入研究各種薄膜製備技術，將不是很困難的事。 本書由李曉幹、王奇、劉猛共同編寫。其中，李曉幹主要編寫了緒論、
薄膜基礎知識、氧化技術和真空鍍膜技術，劉猛編寫了矽單晶材料學、CVD技術和其他半導體薄膜技術，王奇編寫了濺射工藝部分。全書由李曉幹、劉猛進行統稿。 由於半導體薄膜技術的發展日新月異，涉及的科學技術領域繁多，編寫者的水準有限，在編寫中存在錯誤在所難免，歡迎廣大讀者批評指正！ 作者 2018年1月
(1-x)TiO2-xSrTiO3之塊狀及薄膜材料之微波的介電性質分析
為了解決pvd濺鍍 的問題，作者温健喬 這樣論述：
此篇論文分為兩大部份，第一部分為塊體樣品，第二部分為薄膜陶瓷樣品。塊體樣品部分為分析(1-x)TiO2-xSrTiO3 (x=0~0.1)在不同摻雜比例下的微波介電特性與物理特性，薄膜樣品部分則為(1-x)TiO2-xSrTiO3 (x=0.025)在不同的氧氣濃度比例下長成薄膜，分析其微波共振介電特性。塊體樣品以固態反應法製作(1-x)TiO2-xSrTiO3 (x=0~0.1)陶瓷。煆燒升溫速率10℃/min，溫度定為1200℃，燒結溫度分為兩組1300℃與1350℃，燒結2小時。樣品利用柱狀共振技術並以網路分析儀(Vector Network Analyzers, VNA)測量微波介電
常數與損耗。從X光繞射儀(X-ray Diffraction, XRD)測量可以觀察到隨者SrTiO3摻雜量提升，其繞射峰強度也隨之提高並在1350℃時有較強的峰值，並在摻雜x=0.1及燒結溫度1350℃有時者較高的介電常數138.37，其介電損耗為6.45x10-4。以阿基米德量測法可以觀察到最佳介電常數樣品密度為99.92，孔隙率為1.7x10-3。從實驗結果來看可以發現樣品密度與介電常數成正比例關係，與陶瓷介電材料需要高密度，避免空氣相的產生而導致降低介電常數相符。薄膜則以射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering)製作(1-x)TiO2-xSrTiO3 (x=0.0
25)薄膜陶瓷樣品。在不同氬氣(Ar)與氧(O2)的氣體濃度比，以固定濺鍍時間、壓力及基板加熱溫度下沉積至玻璃基板長成薄膜樣品。並以矩形共振擾動技術配合網路分析儀(VNA)探討氣體濃度比下之薄膜微波介電特性。並使用場發射掃描式電子顯微鏡(Field-Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM)對薄膜樣品表面進行結構分析。