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亞洲大學 光電與通訊學系 游瑞松所指導 鄭子霽的 摻雜鎳效應對於銅鈷氧化物薄膜的結構 與光電特性影響研究 （2017），提出pvd cvd比較關鍵因素是什麼，來自於薄膜、溶膠-凝膠法、結構、光電性質、氧化銅、四氧化二銅鈷。

而第二篇論文國立暨南國際大學 光電科技碩士學位學程在職專班 林佑昇所指導 田椿璟的 動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率 （2015），提出因為有 蝕刻、高深寬比連接導線、積體電路、互補式金氧半導體的重點而找出了 pvd cvd比較的解答。

最後網站CVDとPVDの比較 Mitsubishi則補充：成果確認テスト ... CVDとPVDの比較 残留応力 コーティング膜には、コーティング後の冷却中に、母材. 残留応力. 被膜処理.

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摻雜鎳效應對於銅鈷氧化物薄膜的結構 與光電特性影響研究

為了解決pvd cvd比較的問題，作者鄭子霽 這樣論述：

本研究探討CuCo2O4之相變化及摻雜鎳效應對於結構及光電特性的影響，實驗分成兩部分，第一階段將薄膜退火於250℃至450℃，研究結構變化及光電特性，分析確認最佳製程溫度是350℃；第二階段以最佳製程溫度製備摻雜鎳於CuCo2O4，形成Cu(Co1-xNix)2O4 (x＝0.05、0.10、0.15、0.20、0.25及0.30)薄膜，鑑定以摻雜比例為Nix=0.15具有最佳的導電性質，薄膜退火於250℃至350℃，薄膜均為單一相尖晶石CuCo2O4，在400℃及450℃薄膜為複合相特性，鎳摻雜於CuCo2O4薄膜並未改變薄膜晶體結構且無雜相的形成，CuCo2O4薄膜退火溫度於250 ℃增

加至450℃的晶粒尺寸由3.32 nm增加至13.77 nm，但鎳摻雜使得CuCo2O4平均晶粒尺寸由6.32 nm (Nix=0)減少至4.22 nm (Nix=0.30)，薄膜的表面散佈大小不一的凸起狀結構，隨著退火溫度的增加凸起狀物有增大趨勢，然而隨著摻鎳的比例增加凸起物有逐漸縮小狀態；表面粗糙度分析顯示當鎳摻雜比例大於含量20%時會造成奈米裂縫的形成，使得粗糙度增加。退火於250 ℃至450℃的CuCo2O4薄膜透光率曲線相似，將鎳摻雜於CuCo2O4薄膜的比例大於10%會產生透光性質的紅移效應(Red-shift) ，奈米晶粒尺寸增加效應，造成退火由250℃增加至350℃單一相CuC

o2O4薄膜能隙由3.98 eV減少至3.58 eV，鎳摻雜效應會使得CuCo2O4薄膜能隙由3.58 eV下降至2.68 eV，退火於350℃本質薄膜具有最佳導電特性，電阻率為5.66 Ω-cm，載子濃度為4.14x1014 cm-3，以製程500℃溫度製備摻雜鎳比例由0.05增加至0.30，分析顯示鎳15%有最低之電阻率為0.187 Ω-cm，載子濃度為9.59x1016 cm-3，藉由鎳摻雜於CuCo2O4薄膜可以有效提升導電特性及載子濃度，所有薄膜均為P型半導體特性，Ni-doped CuCo2O4可以為抗菌應用。

動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率

為了解決pvd cvd比較的問題，作者田椿璟 這樣論述：

在半導體業製造方式是將在矽基板上製造電子元件(產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微處理器、LCD驅動IC、NAND Flash…等)，而電子元件之完成則由精密複雜的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；IC之製作過程是應用晶片氧化層成長、微影、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沈積等技術。正如摩爾定律所預測的一樣隨著電子資訊產品朝輕薄短小濃縮的方向發展，半導體製程的方式亦朝著高密度及自動化生產的方向前進；而IC製造技術的發展趨勢，大致上朝向克服晶圓直徑變大，元件線寬縮小，製程步驟增加，製程特殊化以提供更好方式去達到良率提升的目標。為了提升電腦、通訊、消費性電子產

品的效能與追求單位晶圓成本的降低，晶圓代工廠未來兩年的主要投資建立14奈米、16奈米產能以及導入10奈米和10奈米以下技術。在DRAM廠方面，短期內或許不會增加太多新產能，其投資焦點為20奈米技術的導入，並且調整產品組合來配合行動市場。其主要目的增加晶圓的顆粒數、製程成本降低、提高良率、增加產能利用率、減少支出增進公司的營收可以為下一個世代的產品舖路，當製程能力已達到可以代工的程度將可以為公司帶來額外的資金，同時可以讓公司有較優渥的條件購買下一個世代產品的技術與設備。在半導體製造業，製程技術能力代表該廠商產品生產能力與產品成本競爭力。在競爭過程中，企業常透過聯盟等合作放式，與合作的夥伴處取得或

共同研發高階製程技術，其提高市場競爭力。本研究在探討動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率，其研究方針是利用實驗機台取代現有機台，使其可增加機台的使用率、降低機台成本的支出以及增加產品推移效率減少產出的周期。

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