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cvd薄膜的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦菊地正典寫的 看圖讀懂半導體製造裝置 和柯賢文 的 表面與薄膜處理技術(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站化學氣相沉積（CVD）技術梳理 - 每日頭條也說明：其技術發展及研究也最為成熟，其廣泛應用於廣泛用於提純物質、製備各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。CVD和PVD之間的區別主要是，CVD沉積過程要 ...
這兩本書分別來自世茂 和全華圖書所出版 。
國立臺南大學 綠色能源科技學系碩士班 傅耀賢所指導 楊子寬的 濺鍍輔助化學氣相沉積系統沉積高穿透高阻值類鑽碳薄膜 （2021），提出cvd薄膜關鍵因素是什麼，來自於類鑽碳薄膜、光穿透度、阻抗。
而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 蔡佳霖所指導 陳朝樑的 載流氣體於電漿增強型化學氣相沉積之應用 （2019），提出因為有 惰性氣體、電漿、放電距離的重點而找出了 cvd薄膜的解答。
最後網站摄像头PVD和CVD薄膜- 吴建明wujianming - 博客园則補充：在FDP 的生产中，在制作无机薄膜时，可以采用的方法有两种：PVD 和CVD (将VE 和VS 归于PVD ，而ALD 归于CVD)。 Physical Vapor Deposition (PVD).
看圖讀懂半導體製造裝置
為了解決cvd薄膜 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂 得半導體得天下？ 要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體
所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
濺鍍輔助化學氣相沉積系統沉積高穿透高阻值類鑽碳薄膜
為了解決cvd薄膜 的問題，作者楊子寬 這樣論述：
類鑽碳(DLC)薄膜具備良好的機械性質、化學惰性，但缺點是應力大，附著不易。將鉻金屬加入類鑽碳薄膜摻雜可以有效改善附著力以及應力問題。本實驗使用反應型直流沉積系統製備鉻金屬摻雜類鑽探薄膜，以乙炔流量作為控制參數，分析薄膜性質(表面結構、晶粒特徵、接觸角)、性能變化(附著性能、光學穿透度)。並且在選定高穿透參數固定乙炔流量後改面氮氣流量研究改變表面片電阻。實驗結果發現，在乙炔流量提升到20sccm以上時，碳結構將逐漸佔據薄膜主要成分；而在乙炔氣體流量達到70sccm以上時，sp3相之碳三價鍵結構比例大幅上升，進而造成薄膜光穿透度大幅提升，達到90%的可見光穿透度。而片電阻值則在氮氣達到50sc
cm時有著16.1M Ω的最大值，透過交流阻抗量測確定幾乎沒有電荷累積現象。
表面與薄膜處理技術(第四版)
為了解決cvd薄膜 的問題，作者柯賢文 這樣論述：
固體材料的表面問題既已發展成一非常多樣化的科技，很多出版的參考書籍以專題深入探討或以工具書出現，不易為初學者所接受，也不適宜當教材之用。因此作者就重要的問題分成十二章討論。這十二章的結構實際上可以看成五個部份，第一部份為基礎篇，這些都是乾式氣相表面處理最常面臨的技術。第二部份為氣相技術篇，乃常見的乾式氣相表面處理技術。第三部份為液相技術篇，亦即最傳統的表面處理技術，包括無極鍍、化成、取代及電鍍和電鑄，陽極處理實際上相等於電化學反應的化成作用。第四部份為薄膜篇，包括薄膜的成長及微結構、薄膜的特性及量測。第五部份為前瞻篇，它們已脫離常見表面技術的章節，其中有微機電系統、奈米技術及表面的物理
化學性質。本書適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。 本書特色 1.固體材料的表面問題已發展成一非常多樣化的科技，本書內容以深入淺出的方式表達，使其成為最適宜的教材。 2.作者就重要問題分成十二章討論，共分為五大部分為；基礎篇、氣相技術篇、液相技術篇、薄膜篇與前瞻篇，內容精選，整理完善。 3.適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。
載流氣體於電漿增強型化學氣相沉積之應用
為了解決cvd薄膜 的問題，作者陳朝樑 這樣論述：
本次實驗是研究惰性氣體在半導體製程上的應用，惰性氣體又可稱為鈍氣，由於該氣體在原子結構上屬VIIIA族，該族群之最外層的電子為飽和狀態因此相當穩定，不易產生化學反應，這一特性使惰性氣體在科學、工業、生醫等應用範圍上相當廣泛，其中又以He特別受到關注，由於質量輕、導熱效果佳[10]，所以在傳統半導體製程上，會使用到許多He相關的應用，例如作為推動製程氣體的carrier gas，降溫時使用的cooling gas，以及提供工作環境飽壓以防止晶圓在製程時跳動造成產品受損及particle揚起等諸多應用，除半導體外，其衍生範圍更是涵蓋到醫療、重工業、國防科技等等。He gas在使用上會有如此諸多應
用的另一原因在於控制上的精準度，由於該氣體質量輕、分子量小的特性[10]，使之在製程參數上可更為精確的控制，加上其惰性特性可確保製程上不會產生額外的副產物汙染製程。但也由於其在各式工業的需求強勁，導致價格始終居高不下，He Gas在生產上的主要方式為開採，因其質量過輕保存不易，資源上更有趨於枯竭的現象，時至今日美國更將此氣體定義為戰略氣體，使的其在產量(LOW)與價格(HIGH)上都呈現不可避免的反向交叉。因此在半導體製程上，思考著如何將He Gas製程減量甚至替代的想法變越來越熱門，若能越快取得He Gas替代上的成果，將能在各類的競爭中如價格、氣體來源穩定性等方面取得更大的優勢。現階段以H
e gas在carrier gas的應用作替代性研究，以確保符合產品規格與維持生產上的可行性，依據Paschen’s law[4]，在標準PECVD的工作環境下，使用Ar氣體可滿足於He氣體進行電漿放電的距離，使用標準型實驗計劃法[20]，取得Ar plasma的工作特性，並搭配機台結構改良，使He氣體替代獲得可行性驗證。